您好;
感谢您的回复。我有另一个关于 FET 的问题。
如图所示;FET 相互结合、如双连接 ı 认为应该 增加承载电流的容量。但充电开始时、它们不能同时工作。我移除了其中一个、然后第二个导通。 他们如何同时工作?
此外,根据参考设计,充电电流必须是15A 或更小,但当充电开始时,电流限制在6A 左右。它是否与 FET 的条件有关?或者它是否应该改变 感测电阻?
提前感谢。
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如图所示;FET 相互结合、如双连接 ı 认为应该 增加承载电流的容量。但充电开始时、它们不能同时工作。我移除了其中一个、然后第二个导通。 他们如何同时工作?
此外,根据参考设计,充电电流必须是15A 或更小,但当充电开始时,电流限制在6A 左右。它是否与 FET 的条件有关?或者它是否应该改变 感测电阻?
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您好!
双 FET 不应导致任何问题。 我只是想确保这些组件是必需的。
MOSFET 的栅极可能会因漏极和栅极杂散电感以及米勒电容而产生一些振铃。 为了防止这种情况发生、可以将芯片铁氧体磁珠与保护 FET 的栅极串联。 要查看此配置、请参阅 https://www.ti.com/tool/TIDA-00449。 这些组件是原理图上的 L1、L2、L3和 L4。