请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号:LMR10515 您好 TI
我很好奇 LMR10515中是否使用了高侧耗尽型 P 沟道 MOSFET? 为什么?
谢谢你。 期待您的回复。
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
您好、Kingson、
感谢您的联系、我们通常不会分享这种内部信息。 但我想知道您对该器件的担忧。
有关该器件的更多信息、请访问 LMR10515数据表、产品信息和支持|德州仪器 TI.com
如果还有其他任何我可以帮助的地方、请再次联系。
谢谢、
此致、
莫赫丁。