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[参考译文] LMR10515:内部高侧 MOSFET 是耗尽型 P 沟道 MOSFET? 为什么?

Guru**** 2517120 points
Other Parts Discussed in Thread: LMR10515

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1165045/lmr10515-the-internal-high-side-mosfet-is-a-depletion-p-channel-mosfet-and-why

器件型号:LMR10515

您好 TI

我很好奇 LMR10515中是否使用了高侧耗尽型 P 沟道 MOSFET? 为什么?

谢谢你。  期待您的回复。

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    您好、Kingson、  

    感谢您的联系、我们通常不会分享这种内部信息。 但我想知道您对该器件的担忧。

    有关该器件的更多信息、请访问 LMR10515数据表、产品信息和支持|德州仪器 TI.com

    如果还有其他任何我可以帮助的地方、请再次联系。

    谢谢、

    此致、

    莫赫丁。

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    你好,伙伴

    明白了。 我是一名电源设计工程师、只是想了解有关降压 SMPS 内部原理的更多信息。

    但是、您能否告诉我 、这是 LMR10515高侧中的耗尽型 P 沟道 MOSFET?

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    您好、Kingson、

    我们对此感到遗憾、但我们不会共享有关器件的内部信息。

    谢谢、

    此致、

    莫赫丁。

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    好的、谢谢...