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器件型号：UCC21520 在设计驱动器自举电源时、我需要了解哪些有关 dV/dt 的信息？
在设计驱动器自举电源时、我需要了解哪些有关 dV/dt 的信息？
通常需要缩短自举电源的启动时间、但提高启动速度通常会导致与 dV/dt 相关的不可预见的问题。 图 1提供了一个示例原理图、其中突出显示了自举电阻器、电容器和二极管。
图1：突出显示了引导组件的简化引导程序原理图
驱动器偏置电源上的高 dV/dt 会对自举电路的功能和可靠性产生重大影响。 这是因为大 dv/dt 尖峰会导致高侧 FET 振荡、电源过冲和栅极驱动器 ESD 保护单元激活。 这些结果会随着时间的推移损坏驱动器。 此类 dV/dt 尖峰最有可能在电路初始上电期间发生、因为电容器首次充电、但也可能在正常运行期间引起各种因素、包括开关节点下冲、自举环路上的电感和自举二极管反向恢复。 图 2显示了此 dV/dt、其形式是由具有寄生效应的上电仿真产生的电压急剧上升。
图2：高侧电源轨电压变化的自举电容、自举电阻3.9欧姆
为了防止意外运行和对驱动器的潜在损坏、dV/dt 被保持在一个合理的水平上、对于 UCC2152x 和 UCC2122X 系列、5V/us 是建议的最大值。 dV/dt 可通过增加自举电容器和/或自举电阻器来控制。 图 3显示了各种自举电阻器和电容器组合的 dV/dt、清楚地标记了可接受的范围。 例如、如果自举电容器为1uF、则建议使用至少3.9欧姆的自举电阻器。
图3：改变自举电阻和电容时上电时的峰值 dV/dt。 (VDD = 18V)
该过程将最大限度地减小 dV/dt 对自举电路的影响。 如果您对本主题还有其他疑问，请点击“提出相关问题”按钮，我们将乐意为您提供帮助。