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[参考译文] LMR36015-Q1:集成 MOSFET 体二极管的峰值电流能力

Guru**** 2382660 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8872-Q1, LMR36015-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/922702/lmr36015-q1-peak-current-capability-of-integrated-mosfets-body-diode

器件型号:LMR36015-Q1
主题中讨论的其他器件:DRV8872-Q1

你(们)好。

集成 MOSFET 体二极管的最大电流能力是否有指定值?

此致、

Christian

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    尊敬的 Christian:


    这一个没有指定值、但器件应该能够提供1.5A 电流、并且我们还具有电流限制以保护 MOSFET 免受损坏。  

    谢谢

    -Arief

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    您好、Arief、

    感谢您的快速响应。

    我们必须对 ECU 执行一些测试。 其中一个模拟电源电压损耗和线路故障。

    电源电压损失意味着在这种情况下、电池电压与 ECU 的连接断开、但 GND 连接仍然存在、反之亦然。

    LMR36015-Q1提供电机驱动器(TI 的 DRV8872-Q1)。 如果蓄电池电压连接断开、同时电机驱动器的输出引脚之一对蓄电池电压短路、ECU 可通过此输出路径供电。 在这种情况下、电流通过高侧 MOSFET 的电机驱动器体二极管流经该输出引脚、然后流向 VM (电机驱动器的电源引脚)、后者连接到 LMR36015-Q1的电压输出引脚 SW。 这意味着、在电机驱动器之后、电流通过高侧 MOSFET 的转换器体二极管流经 SW 引脚、到达 VIN、然后到达 ECU 的其他电路。

    另一种情况是 GND 连接断开、同时 GND 短路。 则低侧 MOSFET 将受到影响。

    在这两种情况下、不会因该"反馈电流"而损坏器件、这一点很重要。 如果该电流超出体二极管的规格、我们需要外部保护元件。

    那么、返回到您的答案:

    • 我是否理解正确、如果出现其中一种情况、体二极管能够处理1.5A 电流?
    • 体二极管与器件的热性能有何关系?
    • 您能解释一下这种保护 MOSFET 的电流限制机制吗? 这是否适用于这些情况?

    非常感谢你能抽出时间。

    此致、

    Christian Edhofer

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    你好

    以下是您的问题答案:

    1.当输入为零伏(在某些情况下甚至浮动)时、通常不建议在稳压器的输出上施加电压。 这种情况可能是由输入被移除时充电的非常大的输出电容器引起的、或者由某种有源负载提供电压。 转换器内部功率 MOSFET 的漏极(VIN)和源极(SW)之间有一个二极管。 当 Vout 上的电压和输入保持为零伏时、将有一条通过电感器和该二极管从 Vout 到 Vin 的路径。 即使输入是浮动的、电流也会流动并尝试为输入电容器充电、可能会由于与电容器和电感器的谐振而达到高电压。  这种现象过去在某些条件下出现过。 允许电流流流过该二极管可能会导致寄生电容导通、甚至损坏二极管。  由于它不是一个"真正的"二极管、而是在芯片上构建 MOSFET 时形成的寄生二极管、因此它不能在超过几个10s-100s 纳秒的时间内获取电流。 避免此问题的一种方法是在输入到输出之间使用二极管、为输出电容器在器件周围放电提供一条路径。  可以使用阴极连接到 Vin、阳极连接到 Vout 的肖特基二极管。 还可以使用与负载串联的阻塞二极管。 如需更多信息、另请参阅应用手册 SLYT689。

    2.体二极管与器件的热性能无关、热性能与器件的布局更相关。  

    3.我认为电流限制不能以这种方式保护器件。 电流限制仅在电流处于正向正常状态时保护器件。 如果输出短路、则电流限制旨在保护流经电感器的过大电流。  

    谢谢

    -Arief

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    非常感谢您的回答。

    此致

    Christian