This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS22975:CT 电容上限

Guru**** 2536600 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS22975

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/926769/tps22975-upper-limit-of-ct-capacitance

器件型号:TPS22975

大家好、

由于上升时间可通过 TPS22975的 CT 进行控制、因此我们将考虑大约10秒的上升时间。 VIN 为5V。
不过,根据"表1. 16980µs 时间 TR 与 CT 电容器间的关系"、列出的最大上升时间仅为1 μ s。
CT 的电容是否有决定 TPS22975上升时间的上限? 如果上升时间为10S、应使用什么电容 shoud。 我想的是1uF、但我不知道它是好还是坏、因为它不在桌上。

此致、
Tom Liu

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Liu、

    您可以使用 TPS22975数据表上的公式1来计算电容的压摆率。 我相信、超过10s 的5V 电源轨需要4.5uF 的大电容。 这是一个非常慢的导通阶段。

    使用的电容没有上限、但在此阶段应减小的浪涌电流是另一个需要考虑的因素。

    例如、如果负载电容太大以至于1A 的电流在导通期间会流过10s、则系统的热性能必须兼容。 在导通期间、FET 的电阻会缓慢减小、以确保浪涌电流受到钳位。