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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/924082/bq25505-can-the-charging-efficiency-diagram-in-the-bq25505-data-sheet-be-simulated-by-software
BQ25505模型已加密、Tina 无法对其进行仿真。 那么、如何获取充电管理芯片数据手册的充电效率图？ 它是否可以通过软件(如 Cadence)进行仿真？除了构建测试平台之外、我们是否可以使用其他软件来仿真数据手册中的充电效率图？下图：
您好！
我不知道升压转换器的断续模式效率模型。 在 SPICE 仿真器中构建 DCM 升压转换器、然后对不同直流工作点的瞬态仿真电压和电流求平均值、这是可能的、但很耗时。
此致、
Jeff
您好，Jeff
充电管理芯片的输出将 VBAT_OV 设置为根据外部电阻网络输出特定电压。 电阻分压器网络由外部微控制器控制、可调 VSTOR 电压输出用于不同的应用场景。 这个想法是真的吗？
此致
理论上、您应该能够通过电阻器向 VBAT_OV 引脚注入直流电压、并根据 VBAT_OV 电阻器调整设置的电压。 但是、这尚未经过测试。 此外、通过 注入电阻器和底部 VBAT_OV 电阻器的 u-controller 直流电压将始终浪费功率。 充电器仅每64ms 查看一次 VBAT_OV 上的电压、否则它们将悬空。
您好、Jeff
首先、非常感谢您回答我的问题。 同时、我将提出以下问题：
充电器每64ms 只会查看一次 VBAT_OV 上的电压 、这意味着 VRDIV 节点会受到监控 、以采样和保持 VSTOR 电压。除了功耗外、 这种情况是否会影响通过 电阻器将输出设置为动态输出的动态调整？如果 理论上可行、我的输出也可以每64ms 动态更改一次？
2.根据数据手册7.4.3所示、避免冷启动的一种方法是连接一个部分充电的存储元件。如果 VBAT_SEC 连接、提供的超级电容器和能量收集器等耗尽的能量存储元件是不够的、则导致芯片无法退出冷启动、 但在 BQ25505 VBAT_PRI 中、我们准备了一节不可再充电的主电池、我们可以 通过主电池为 VSTOR 充电 、使其电压高于1.8V、首先使电路脱离冷启动状态、 因此、升压器工作？我认为在 附加部分充电储能元件时、原则应该相同、请谈谈您的意见、非常感谢。
关于1、VRDIV 节点每64ms 仅对 VSTOR 节点进行一次采样。 它不会保持该电压。 您可以在数据表图20中看到采样。 如果您保持现有的电阻分压器并通过第三个电阻器将直流电压注入到现有电阻分压器的中点、则应该能够动态调整电压。 不同器件的电阻器大小的概念和公式在下面的链接中进行了解释。 您将通过电阻器消耗功率。
https://www.ti.com/lit/an/slyt106/slyt106.pdf
关于2、/VBAT_PRI_ON 和/VBAT_SEC_ON 由 VBAT_OK 阈值控制。 因此、您至少需要部分充电元件高于 VBAT_OK 阈值、以便在电池连接后/VBAT_SEC_ON 保持低电平。 请记住、当 VIN_DC、VSTOR 和 VBAT 节点距离接地小于100mV 时、必须连接电池、否则内部 PFET 将不会如 d/s 页面17的中间部分所述打开。
