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器件型号:LMG3410EVM-031 尊敬的先生:
我的客户将 LMG3410EVM-031用于电源应用。
1) 1)需要输出电容(C8~C13)?
2) 2)我们能否使 LDO5V 开路?
3) 3)对于 GanFET 为12Vdd。 我们是否可以使用一个12V 电压来驱动如吹扫图所示的2个 GanFET?
此致、
Bard
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尊敬的先生:
我的客户将 LMG3410EVM-031用于电源应用。
1) 1)需要输出电容(C8~C13)?
2) 2)我们能否使 LDO5V 开路?
3) 3)对于 GanFET 为12Vdd。 我们是否可以使用一个12V 电压来驱动如吹扫图所示的2个 GanFET?
此致、
Bard
您好 Bard、
感谢您联系我们。 让我尝试回答您的问题。
1. C8-C13电容器是必需的、因为它们有助于闭合电源环路。 此外、还需要多个电容器来滤除不同频率下的噪声、并减少与电容器关联的 ESR 量。
2.对于 LDO5V、对于高侧、它通常用于为隔离器供电。 对于低侧、如果未使用 LPM、则用于将其连接到高电平。 放置与子卡类似的 LDO5V 旁路电容器。
3.图片坏了。 如果像我们的 R150子卡那样为高侧使用自举电源、您可以使用单个12V 电压驱动高侧和低侧 GaN FET。
如有任何其他问题、请告知我。
此致、