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[参考译文] LMG3410EVM-031:LMG3410EVM-031的旁路电容器

Guru**** 1157440 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG3410EVM-031
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/924288/lmg3410evm-031-bypass-capacitor-for-lmg3410evm-031

器件型号:LMG3410EVM-031

尊敬的先生:

我的客户将 LMG3410EVM-031用于电源应用。

 

1) 1)需要输出电容(C8~C13)?

2) 2)我们能否使 LDO5V 开路?

3) 3)对于 GanFET 为12Vdd。 我们是否可以使用一个12V 电压来驱动如吹扫图所示的2个 GanFET?

此致、

Bard  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Bard、

    感谢您联系我们。 让我尝试回答您的问题。

    1. C8-C13电容器是必需的、因为它们有助于闭合电源环路。 此外、还需要多个电容器来滤除不同频率下的噪声、并减少与电容器关联的 ESR 量。

    2.对于 LDO5V、对于高侧、它通常用于为隔离器供电。 对于低侧、如果未使用 LPM、则用于将其连接到高电平。 放置与子卡类似的 LDO5V 旁路电容器。

    3.图片坏了。 如果像我们的 R150子卡那样为高侧使用自举电源、您可以使用单个12V 电压驱动高侧和低侧 GaN FET。

    如有任何其他问题、请告知我。

    此致、