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[参考译文] BQ25720：替代电感器和 MOSFET 的组件建议

admin
Guru**** 2378650 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25720, CSD17578Q3A, CSD18511Q5A
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1165272/bq25720-component-suggestion-to-replace-inductor-and-mosfet

器件型号：BQ25720
主题中讨论的其他器件： CSD17578Q3A、 CSD18511Q5A

您好！

我已经设计了一个基于 bq25720的定制充电器。 我需要有关选择电感器和4开关 N 沟道 MOSFET (Q1、Q2、Q3、Q4)的帮助。

我已使用  BRA000606302R2MA1代替 BMRHDY10302R2MA1 (如 bq25720 EVM 板中建议的那样)。

和  SIRA84BP-T1-GE3作为4开关 MOSFET 来代替 CSD17578Q3A (如 bq25720 EVM 板中建议的那样)。

虽然我在将规格与 EVM 板中使用的规格进行比较后使用了这些元件、但我认为这些选择可能不正确

当在 MOSFET Q1和 Q2的4A 温度下充电时、电感器和附近的 PCB 面积上升到60-65摄氏度。

尽管正在进行充电、但这些组件变得非常热。 如果我使用基于 bq25720的 EVM 板进行充电、则温度仅上升到45摄氏度、而电感也上升到45摄氏度。

注意：我的 PCB 板为4层、我已尝试按照 EVM 板的指导原则进行操作。  

我使用的是24V、2A 电源适配器。

我已附上 MOSFET 和电感器在 PCB 中的布置图。  

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    TI__Guru**** 2378650 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Amit、

    按照我们的 EVM 布局布线、布局非常好。 关于组件更换、我建议使用类似规格更换组件。 例如、EVM 电感器为2.2uH、9m Ω、而替代电感器为2.2uH、20m Ω。 由于导通损耗增加、它将具有高温。  

    相同的规则适用于 FET 更换。 EVM FET 约为8-9m Ω、10nC FET。 如果您使用1.35m Ω、38nC FET、它将没有太大帮助。 开关损耗和驱动器损耗可能会影响导通损耗。  

    该 EVM 已针对效率进行了优化。 建议使用相同或相似的组件。  

    此致、

    老虎

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    TI__Guru**** 2378650 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Tiger、

    对于电感器，我猜我可以使用 BTRF0010402R2MD1或 SRP1038A-2R2M (两者都有7m Ω)。

    但对于 MOSFET、正如我从  SIRA84BP-T1-GE3的数据表中看到的、Rdson 为5.2mOHm-7.1m Ω、栅极电荷为 b/w 10.9nC-16nC。

    因此、这应该很好、因为它更接近 EVM 中使用的那个。 我已从数据表中添加了扣件以供参考。

    请告诉我是否查看正确的参数。

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    TI__Guru**** 2378650 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    RDSon 和栅极电荷是 FET 替代产品的两个重要参数。  建议使用相同或相似的组件。

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    TI__Guru**** 2378650 points
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    是的、我理解了该部分。 这就是为什么我想特别澄清  我目前使用的 MOSFET ( SIRA84BP-T1-GE3)。 在第一个答复中、您曾提到"如果您使用1.35m Ω、38nC FET、这对您没有太大帮助"  、但我可以在 SIRA84BP-T1-GE3的数据表中查看、 我可以看到、Rdson 的范围为5.2m Ω 至7.1m Ω、栅极电荷的 b/w 为10.9nC - 16nC、但从这里您提到的是38nC、我没有得到。

    由于 EVM 中使用的 MOSFET 在大多数地方都没有库存、因此我需要查找替代产品。

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    TI__Guru**** 2378650 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Amit、

    不确定为什么我检查了该 FET。 1.35m Ω、38nC FET 为 SiRA60DP。

    SIRA84BDP 优于更接近 TI FET 的 SiRA60DP。  

    TI FET  CSD17578Q3A  的性能仍优于竞争对手的器件。  我们使用的另一个 FET 是 CSD18511Q5A、5mm X 6mm 封装。  

    此致、

    老虎

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    TI__Guru**** 2378650 points
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    但 TI 的两个 IC 都缺货、事实上 CSD18511Q5A 具有31nC 的更高栅极电荷。 如果我只更换电感器并让 MOSFET 与 SIRA84BDP 相同、那么它会有帮助吗？ 我的意思是、电感器和 MOSFET 中、热量的影响更大？

    我的最大充电电流将仅为4A。

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    TI__Guru**** 2378650 points
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    您好、Amit、

    我希望我有一个损耗计算工具来帮助您。 我的建议是在电路中尝试它们、测试数据将代表它们的自检。  

    此致、

    老虎

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    TI__Guru**** 2378650 points
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    您好、Tiger、

    我对 MOSFET 还有一个疑问。 正如我先前提到的、MOSFET CSD17578Q 和  SIRA84BDP 的栅极电荷几乎相似、而 SIRA84BDP 的栅极电荷实际上较小、但 SIRA84BDP 的栅极电荷仍然显著增加。 那么、除了 Rdson 和栅极电荷之外、是否还有其他任何导致这种情况的参数？  与导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间一样、SIRA84BDP 的延迟时间比 CSD17578Q 高很多。

    我已经连接了两个组件的数据表中的快照。

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    TI__Guru**** 2378650 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Amit、

    当然、开关时间会对开关损耗和效率产生影响。 这与竞争对手的效率较差相关。  

    此致、

    老虎