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[参考译文] TPS65216:寄存器写入

Guru**** 2383690 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS65216, TPS6521815
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/919657/tps65216-register-write

器件型号:TPS65216
主题中讨论的其他器件: TPS6521815

客户现在使用 TPS65216并发现问题。

客户将 DCDC2寄存器更改为0xA4。 RD 认为他已成功写入、因为回读值和输出电压可以更改。

客户所做的是:

  1. 写入寄存器 SELW (0x1A)= 0xC6 (设置 GO 位)
  2. 写入寄存器密码(0x10)= 0x17 ^ 0x7D、用于写入 DCDC2
  3. 写入 DCDC2 (0x17)= 0xA4
  4. 读取 DCDC2、检查它是否等于0xA2

但是、在上电复位后、DCDC2再次提醒0x99。

我是否需要写入其他寄存器来启用 EEPROM 备份功能?

 

客户表示芯片版本4没有问题。  但是、这次他们得到了修订版2.1芯片、发现了问题。 是否有任何差异会导致此问题?

此致

Brian W

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    您好 Brian、

    此主题已分配给设备专家。 专家总部位于美国、他们今天有独立日、因此请允许周末延迟。

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    [引用用户="Brian Wang0928"]

    1. 写入寄存器 SELW (0x1A)= 0xC6 (设置 GO 位)
    2. 写入寄存器密码(0x10)= 0x17 ^ 0x7D、用于写入 DCDC2
    3. 写入 DCDC2 (0x17)= 0xA4
    4. 读取 DCDC2、检查它是否等于0xA2

    [/报价]

    步骤1毫无意义。 通过瞬时设置 GO 位、DCDC1/2可以从开始电压(0x99 = 1.1V)转换到新电压。 在这种情况下、它们都是0x99 = 1.1V、因此不会发生转换。

    在步骤3中、您将0xA4写入 DCDC2寄存器。 为什么您回读以验证步骤4中的值是否为0xA2? 如果您将其设置为0xA4、则它应保持为0xA4、而不是自发更改为0xA2。

    [引用用户="Brian Wang0928"]但是,在上电复位后,DCDC2再次提示0x99。

    这对我来说是有道理的。 为了对非易失性 EEPROM 存储器进行重新编程、您需要执行编程过程:

    编程加电默认值:连续写入0x50、0x1A 或0xCE 到密码寄存器(0x10)会将当前寄存器设置提交到 EEPROM 存储器、从而成为新的加电默认值。


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    谢谢。

    我可以从哪里获得您展示的编程过程流程图? 我在 d/s 中没有找到它

    此致

    Brian  

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    Brian、

    请参阅 TPS6521815、它是 TPS65216的全功能可编程版本。 两个器件的数字内核和 EEPROM 编程的实现是相同的。

    我们需要更新 TPS65216数据表以包含编程部分、但这需要时间、我无法保证交付日期。