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[参考译文] LM5069:TI FET 建议

Guru**** 2380870 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5069, CSD19536KTT, CSD18537NQ5A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/920184/lm5069-ti-fet-recommendation

器件型号:LM5069
主题中讨论的其他器件: CSD19536KTTCSD18537NQ5A

大家好、团队、

您是否有与 LM5069搭配使用的 TI FET 建议?

提前感谢。
S.Sawamoto

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    您好、 Sawamoto、

    我们建议使用具有强大 SOA 支持的 FET、例如 PSMN4R8-100BSE 或 CSD19536KTT。 您能否共享已填充的设计表以供查看。

    https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2018/04/06/how-to-select-a-mosfet-hot-swap

    此致、Rakesh

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    您好、Rakesh、

    我想再问一个问题。
    该 EVM 背靠背使用不同的 FET。 选择不同 FET 有什么具体原因、还是可以选择相同的 FET?

    此致、
    S.Sawamoto

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    您好、 Sawamoto、

    Q1是一款热插拔 MOSFET、需要具有强大的 SOA 支持才能承受故障事件期间的功率应力、并且 Q2是 OR-ing FET。

    OR-ing FET 的选择基于 Ron (以满足稳态功率损耗)和额定电压、以支持最大反向电压。

    此致、Rakesh

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    非常感谢、Rakesh。

    请允许我再问一个问题。
    我了解到、对于故障事件、Q1需要比 Q2更强的 SOA。
    EVM 上的 Q1 (SUM50N06-16L)和 Q2 (CSD18537NQ5A)具有类似的 SOA 性能。
    这两个器件是单独选择的、有什么具体原因或背景原因吗?

    此致、
    S.Sawamoto

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    您好、 Sawamoto、

    我认为、该设计在 FET 成本方面可能没有进行太多的优化。 ORing 侧的 SOA FET 更强不应有任何具体原因。

    此致、Rakesh