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[参考译文] BQ40Z80：使用齐纳二极管将 DSG 电压钳制在最大6V 而非11V。

admin
Guru**** 2586275 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z80

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1167250/bq40z80-using-zener-diode-to-clamp-the-dsg-voltage-at-6v-max-instead-of-11v

器件型号：BQ40Z80

您好！

我们希望使用 GaN FET 来提高 BMS 的电流能力、而不会使其变得更大。 (通过并联器件降低 Qg 以实现更快的开关速度和更佳的 SOA)

100µA 电荷泵似乎具有大约10 μ A (https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/432866/bq40z50-dsg-drive/1706383#1706383)的电流、我们可以调整 MOSFET 栅极上的齐纳二极管、以将电压钳制在5至6V 之间。

BQ40Z80的内部电荷泵用100µA μ A 电流持续偏置在5至6V 电压是否会有问题？

谢谢、

此致、

Cyril CALVEZ

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    TI__Guru**** 2586275 points
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    您好、Cyril、

    您能否分享您想要使用的原理图和器件？ 我不建议钳制电压、电荷泵效率不是很高、因此这会显著增加电流消耗。

    此致、

    Wyatt Keller

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    TI__Guru**** 2586275 points
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    您好、Wyatt、
    感谢您的回答。
    关于电流消耗、这不会是我们应用中的问题、因为我们将在电池不使用时使用 PRES 引脚来关闭 DSG 和 CHG FET。
    我们更关注采用此配置的 BQ40Z80的可靠性。
    我们的原理图与有关 DSG 路径的 BQ40Z80-EVM 类似。 我们希望用5V6或6V 二极管替代 D1 16V 齐纳二极管。
    GaN FET 将并联2个或更多个 EPC2066。
    谢谢、
    此致、
    Cyril CALVEZ
     

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    TI__Guru**** 2586275 points
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    您好、Cyril、

    我想不到这种配置会损坏监测计的任何东西、我建议您进行一些测试、以确保其按预期工作、并且您的系统可以正常增加电流消耗。

    只要引脚处于绝对最大额定值范围内、就不应损坏器件。

    此致、

    Wyatt Keller

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    TI__Guru**** 2586275 points
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    您好、Wyatt、


    感谢您提供的信息和解释。
    我将在明天收到两种精密容差齐纳二极管模型。 我将能够检查电压是否在预期范围内、我还将能够测量来自 DSG 引脚的电流。
    如果 IC 上没有热点、我将使用热像仪进行仔细检查。
    我会随时向您通报结果。

    再次感谢您、

    此致、

    Cyril CALVEZ

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    TI__Guru**** 2586275 points
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    我还将检查 PBI 引脚、以确保电容器保持恒定电压并且不会持续耗尽。

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    TI__Guru**** 2586275 points
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    您好、Cyril、

    检查 PBI 很重要、如果监测计没有良好的电源、由于电荷泵效率低下、可能会导致器件因驱动 FET 栅极而欠压。

    此致、

    Wyatt Keller