我们使用两个 UCC27201来驱动 H 桥配置中的两个半桥、以实现有刷电机控制。 H 桥上的电压可能介于18V 和28V 之间。 我们将一个 RC 电路(10kohm 和.1uF)连接到有刷电机的一侧、以测试 FET 是否正常(内置测试)。 我们一次导通一个 FET 并查看 RC 的输出。 对于每个半桥、我们打开低侧 FET 2ms、为自举电容器充电、并使 RC 的输出为0V。 然后、我们通过打开高侧 FET、等待400uS、然后测量电压来测试高侧 FET。 如果电压上升至高于1.75V、则 HS FET 通过(由二极管削波至1.8V)。 然后、我们打开 LS FET 2ms、读取电压并验证其是否低于1.25V、以确保 LS FET 正常工作。 我关心的问题是 HS FET 上的错误导通、因为 IHB 对电容器进行充电、使其看起来像是 HS FET 在不导通时出现。 问题是、如果 IHB 足够大、它将导致电容器在400uS 内从0V 充电至1.75V。 我的 SPICE 仿真显示、如果总 IHB (在 H 桥上的两个 FET 驱动器之间)高于550uA、则在最坏情况温度下(125°C、75nF 电容=.1uF 标称值、-15% X7R、-10%老化)。
注意：当我运行基准测试时、电路工作正常(在400uS 期间、IHB 对电容器的充电速度不够快、因为 HS FET 没有像预期的那样出现)、并且在所有 FET 关闭时、我仅测量通过10kohm 电阻器的300uA 电流。
我的问题是、我是否需要担心两个 FET 驱动器之间每个 FET 的最坏情况规格为0.8mA IHB =总共1.6mA (再说一次、我的仿真显示、任何超过550uA 的电容器都会导致电压在400uS 内上升足够、从而导致 HS FET 发生错误导通)。 同样、我在两个 FET 驱动器之间测得的总电流仅为300uA、与数据表中的0.4mA x 2 = 0.8mA 典型值不符。
谢谢、
Nick
