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[参考译文] TPS51220A：TPS51220A 低侧 MOSFET 损坏问题

admin
Guru**** 2386600 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/768115/tps51220a-tps51220a-low-side-mosfet-damage-issue

器件型号：TPS51220A

尊敬的团队：

请帮助确认需要修改原理图的位置、因为+12V 和+5V 输出相位低侧 MOSFET (Q38&Q8)始终损坏。

最可能的损坏原因是什么？

e2e.ti.com/.../RSC_2D00_IMX61_5F00_A1-_5F00_-24.-PWR3_5F00_-_2B00_VDD_5F00_S-_2800_002_2900_.pdf

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    TI__Guru**** 2386600 points
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    嗨、Tommy、  

    原理图看起来不错。 我只有一个问题。 FB 分压器电阻器过小。 建议使用43k 欧姆和10.5k 欧姆。 但我不确定这是根本原因。  

    1. 请将布局发送给我以进行查看。  
    2. 它会如何损坏？ 在测试过程中、它会在哪些条件下损坏？ 您绘制了波形吗？ 请给我发送。  
    3. 请在正常工作时绘制 SW、Vout 和 Vin 波形。 最好放大 SW 波形、我希望看到 SW 上升时间、下降时间、过冲和下冲。  

    BRS、  

    Edwin。  

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    TI__Guru**** 2386600 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Edwin、

    感谢您的回复、请参阅布局板文件/ MOS 8D 报告/开关节点相位波形的附件文件。

    如果有任何想法、请告诉我、因为下周是中国新年、所以如果需要我提供其他信息、将会很晚、sorry.e2e.ti.com/.../RSC_2D00_IMX61_5F00_E1907RSC603RO_5F00_A1_5F00_20150729_2D00_1000.rare2e.ti.com/.../496359_5F00_FDMS0312AS_5F00_Final_2B00_Report.pdfe2e.ti.com/.../Phase-pin-waveform--for-Ti-measured-20190201.docx

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    TI__Guru**** 2386600 points
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    您好、Edwin、

    主席先生，对我们有什么想法？

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    TI__Guru**** 2386600 points
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    嗨、Tommy、

    从波形来看、SW OS 似乎不能再大到足以损坏 L-MOS。

    您是否检查死区时间是否足够大？ 何时发生损坏？ 如果可能、您能否在损坏发生期间捕获一些波形？

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    TI__Guru**** 2386600 points
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    尊敬的 张玉昌：

    附件文件是一个高/低侧交叉和开关节点尖峰波形、供您参考、我认为客户在损坏期间无法捕获该波形、

    因为它发生在终端客户身上。

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    TI__Guru**** 2386600 points
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    嗨、Tommy、

    想知道为什么 Vin 看起来比您之前上传的"相位引脚...20190201"一词中的值高？ 这一次、波形几乎获得了 MOSFET 规格的30V VDS。
    如果我们检查死区时间、我们应该检查高侧的 VGS、而不仅仅是 Vgate。
    我想我们可以通过电子邮件关闭此主题并讨论有关此问题的更多信息、您可以发送至 yuchang-zhang@ti.com
    裕昌