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[参考译文] LM5576：LM5576/-Q1稳压器缓冲器网络优化

admin
Guru**** 2524550 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/764280/lm5576-lm5576--q1-regualtor-snubber-network-optimization

器件型号：LM5576

为了减少振铃和电压尖峰、建议在8.2.2.13中使用缓冲器网络。 在应用任何缓冲器网络之前、我测量了+50V 的最大电压(上升沿上的3-4V 过冲)和-4V 下冲。  

我想知道：

1.负下冲是否对器件/外部元件可靠性更具关注？  

2.调整补偿时可接受的负电压范围是多少？ 完全消除下冲将导致影响效率的超慢下降沿。  

我 的理解是负电压会引入流经器件基板的泄漏电流、从而导致可靠性问题。 是这样吗？  

谢谢、

Shirleen

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    TI__Guru**** 2524550 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Shirleen、

    负过冲在您的应用中更为重要、因为最大输入电压远低于 VIN 引脚上允许的最大值。 大多数电源设计人员担心高侧导通时出现振铃、因为它会产生输入噪声。 负过冲不仅会增加功率 MOSFET 的应力、还会导致基板电流、从而影响芯片运行。

    通常情况下、与作为直流应力允许的值相比、允许在非常短的间隔内进行更多的下冲。 我通过电子邮件向旅游产品团队发送邮件、以查看是否已对此类压力进行过研究。

    通常情况下、IC 由于下冲而出现不良行为比可靠性较差更令人担忧。

    当我发现更多信息时、我会告诉您。

    此致、Robert
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    TI__Guru**** 2524550 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢、Robert、

    我想知道-3V 下冲是否是此器件的问题。 我可以做的最好是将下冲降低至大约-2V、但下降沿非常慢。  

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    TI__Guru**** 2524550 points
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    您好 Shirleen、

    请确保测量正确。 通过使用短接地引线并通过开尔文连接到 IC 的 VSW 引脚和 PGND、实现 SW 下冲的正确测量。 建议在 GND 探针的管上使用弹簧夹。 该器件可承受的最大电压指定为-1.5V。 通常情况下、此值可能大于10ns 左右。 但是、如果您在 IC 上进行测量、这可能会在限制范围内。 如果尝试解决问题证明不成功、则问题可能是由非理想布局导致的。 如果您无法将开关节点减慢至可接受的水平、从而将下冲保持在规格限制范围内[通过正确的测量]、则可能需要重新进行布局、并支付与 Cin 的紧密连接以及它如何连接到器件的 Vin 和 PGND。 此外、二极管的位置需要使由 CIN+到 VSW 形成的回路与二极管到 PGND 到 CIN (-)的引脚(阳极)的阴极保持非常紧密。

    希望这对您有所帮助？

    David。