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器件型号:LM5141-Q1 尊敬的 TI:
如何选择 D1和 D2? 原理图来自 LM5141EVM、我的应用是12V->5V/10A:
我想选择 D1和 D2、我需要关注哪些参数?
谢谢!
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尊敬的 Eric:
D2仅在死区时间内导通(从低侧 FET 的体二极管到反并联肖特基二极管的电流换向在很大程度上取决于电感寄生效应、因此如果死区时间小于20ns、大多数电流不会换向)。 鉴于 LM5141-Q1的死区时间短、我认为 D1不是必需的、尤其是在低侧 FET 的体二极管具有合理的 Qrr 时。 另请注意、D2增加了 SW 节点寄生电容、因此在 CCM 下运行时可以降低轻负载效率。
D1是为引导电容器充电 的引导二极管-其额定电压应大于输入电压、通常大于100mA。 通常、它是一个肖特基二极管 、可实现低正向压降、但也要注意高温下可能存在高反向泄漏电流。 小型 SOD523或 SOD 323封装就足够了。
此致、
Tim