您好!
请让我询问一下内部放电 FET。
我知道、当 EN 引脚禁用内部放电 FET 时、它会打开。 但我想它也在 输出过压保护期间运行。 实际上、我通过使用 EVM 执行以下过程来检查它。
- 通过 20欧姆连接1.5V 上拉电压以产生过压情况
- 然后、我可以在 连接的 SW 引脚上看到周期性低脉冲、因此我猜这是由于打开放电 FET
感谢您的善意回应、以了解 TPS53317的操作。
此致、
Satoshi
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您好!
请让我询问一下内部放电 FET。
我知道、当 EN 引脚禁用内部放电 FET 时、它会打开。 但我想它也在 输出过压保护期间运行。 实际上、我通过使用 EVM 执行以下过程来检查它。
感谢您的善意回应、以了解 TPS53317的操作。
此致、
Satoshi
您好、钱
感谢您的回答。
EN 是否短接至 V5IN? 如果不是、EN 何时被拉高?
[佐藤志]
EN 短接至 V5IN。
BTW、实际应用中是否存在预偏置 OV? 如果确实如此、我建议添加泄放电阻器、以使预偏置电压低于 OV 阈值。
[佐藤志]
在客户的实际应用中可能存在预偏置 OV、因此我建议按照您的建议添加泄放电阻器。 但客户需要了解在预偏置条件下启动时发生的情况。
此致、
Satoshi
您好 Satoshi、
首先、请参阅数据表上的图21。
在提供 V5IN 并建立 VREF 电压后、如果 REFIN 电压未在260us 内上升、该器件将进入跟踪启动模式。
在随后的8ms 启动延迟时间内、该器件将使 REFIN 上升、在此期间禁用输出 UVP 和 OVP。 在8ms 延迟时间后、该器件将启用 UVP 和 OVP。
在波形中、由于 REFIN 在8ms 后为0V、因此 UV 阈值(REFIN 的68%)和 OV 阈值(REFIN 的120%)几乎都为0V。 这意味着器件可以进入 UVP 或 OVP。
在您的情况下、我相信该器件在 VIN 和 VOUT 上升之前处于 UVP 中。 一旦 VIN (VDDQ)和 VOUT 上升并且 OVP 被触发、此部件进入 OVP 锁存。
总之、应在实际应用中避免波形中的情况。 为了使 VTT (VOUT)在 VDDQ 启动期间使用 VIN (VDDQ)进行跟踪、VIN 应在图21中的8ms 延迟时间内上升。 否则、器件可能会在8ms 后进入 UVP 或 OVP。
另一种解决方案是使用 EN 引脚打开器件。 首先让 V5IN 和 VDDQ 上升、然后拉高 EN 以开启器件。
谢谢
钱