[参考译文] BQ25895：将 Vbus 和 PMID 连接在一起

admin

Other Parts Discussed in Thread: BQ25895

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/761628/bq25895-connect-vbus-and-pmid-together

器件型号：BQ25895

您好！

我的客户想知道、当器件(由适配器充电)和主机(为其他器件充电)只有一个 USB 端口时、如何使用 OTG。

由于它们只有一个机械端口、因此必须将 Vbus 和 PMID 连接在一起。可以这么做吗？

如果它们使 OTG 的升压电路在器件外部并且5V 输出连接到 Vbus、则 BQ25895将再次开始充电。因此、他们必须使用器件内部的 OTG 电路、对吧？

Q1二极管从 Vbus 到 PMID、因此它只能阻止 PMID 到 Vbus 的电压、而不能阻止 Vbus 到 PMID 的电压、对吧？那么、我们为什么需要阻止 PMID 到 Vbus 的电压？

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2550550 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好 Howard、

Vbus 和 PMID 不能连接在一起。 Q1 FET 用作反向阻断 FET、用于安全和输入电流感应。

2.可使用外部电路产生连接到 VBUS 的5V 电压。可以通过设置 REG03[4]=0或将/CE 拉至高电平来禁用充电、但5V 仍可为系统供电。如果要将外部5V 与充电器隔离、可将 REG00[7]设置为启用 HIZ 模式。

3.你是对的。正如我在1中评论的那样、Q1 FET 用作反向阻断 FET、以确保安全、从而防止 Vbus 短接至 GND 时从电池流向 Vbus 的电流。

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2550550 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

1.可以通过设置 REG03[4]=0或拉高/CE 来禁用充电、但5V 仍可为系统供电。
因此、通过设置 REG03[4]= 0或拉高/CE、BATFET 将关闭、但降压转换器仍在工作、对吧？
那么、REG09[BATFET_DIS]=1的功能如何？

2.在 HiZ 模式下、降压转换器将停止工作、但 BATFET 将打开、对吧？

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2550550 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

嗨、Howard、

您对这两个点都是正确的。

1) 1) BATFET_DIS 将禁用充电、并在适配器不存在时防止电流放电至 SYS。

2) 2)是的、默认情况下 BATFET 仍应处于开启状态。

此致、
Joel H

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2550550 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

Joel、
因此、设置 REG03[4]=0或将/CE 拉至高电平将只阻断从 SYS 到 BAT 的电流、而不是另一种阻断。
BATFET_DIS 将以任何一种方式阻止电流、对吧？
我是否可以知道 BATFET 是如何组成的？ 2个 MOSFET 背对背连接在一起吗？

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2550550 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

Howard、

正确的做法是、仅禁用充电不允许电流形式 SYS 到 BAT、而不允许 BAT 到 SYS；禁用 BATFET 将防止电流向任一方向流动。您可以考虑将 BATFET 等效于2个背对背 MOSFET、因此整体而言没有体二极管。

电源管理（参考译文帖）

电源管理（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] BQ25895：将 Vbus 和 PMID 连接在一起