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[参考译文] BQ35100:闪存访问问题

Guru**** 2562120 points
Other Parts Discussed in Thread: BQSTUDIO, BQ35100, EV2400

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/762340/bq35100-trouble-with-flash-access

器件型号:BQ35100
主题中讨论的其他部件:BQSTUDIOEV2400

您好!

我正在与一个遇到以下问题的客户合作。 您能为此建议一些故障排除步骤吗? 谢谢!

我使用 BQStudio 软件通过 EV2400连接到 BQ35100评估板。 起初、我能够更改闪存中的一些寄存器、例如设计容量、并且可以告诉我这些更改是被写入的。 但是、昨天我在"将 BQ35100与基于锂聚合物的应用配合使用"应用手册中介绍了校准序列。 当我把器件置于 EOS 模式时、尝试写入 GMSEL1位的操作从未成功。 BQStudio 在尝试写入后执行的回读比较始终失败。 在尝试了解发生的情况时、我似乎设法使器件恢复到默认状态(具有原始2200mAh 设计容量和2000mV 终端电压)。 现在、我无法更改闪存中的任何值。

是否可以永久锁定自己的闪存? (按照我所能知、拆封仍然可以正常工作)
我是否缺少一些步骤来使写入访问成功?

此致、
Ryan B.

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Ryan
    让客户解开压力表、然后确保其处于完全访问模式。 点击 bqstudio 的 unseal 按钮和 full access 按钮即可完成此操作。

    然后在以下链接中对默认固件进行编程:
    www.ti.com/.../sluc623

    这将使器件进入默认的原始状态。 然后、他应按照 EVM 用户指南中的说明进行校准。

    下面的视频可能也很有用:

    www.youtube.com/watch

    谢谢
    Onyx