This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS4811-Q1:背靠背 FET 拓扑 MOSFET 无法导通

Guru**** 2524460 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS48111Q1EVM

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1167660/tps4811-q1-the-back-to-back-fet-topology-mosfets-cannot-be-turn-on

器件型号:TPS4811-Q1
主题中讨论的其他器件:TPS48111Q1EVM

大家好、

我遵循 TPS48111Q1EVM 原理图设计背靠背 FET 拓扑以支持双向电流应用。 原理图如图所示。

我检查电荷泵运行波形、如下所示。 看起来工作正常。 与数据表相比、只有一个差异是 EN 信号随着 VS 而斜升。  

检查启动行为、如下所示。 您可以看到、VBST 和 VPU 没有像数据表图9-3所述上升到适当的电平。

我尝试将 CBST 从470nF 增加到4.7uF、并增加栅极电阻器值。 这两个 OG 更改都不能帮助解决此问题。  

此外、测量 FLT_T 和 FLT_I 故障指示灯、它们可能会检测到发生了任何故障。 我需要您的帮助来解决此问题。 请帮助查看原理图设计、以及我可以测量诊断和故障症状的任何信号。  

  

谢谢。

Muhsiu

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    在 INP 开启期间更新波形的缩放。 PU 和 BST 尝试上升、但 INP 在 INP 启动期间切换。  

    谢谢、

    Muhsiu

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Muhsiu、

    明天我将在一天结束前答复  

    此致  

    Rakesh

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Rakesh、

    期待您的回复。 我需要更正上面波形的描述。 11/2上测得的波形 已移除 R1207。

    添加了以下波形 R1207。 INP、VS 信号稳定。 但是、PU 和 BST 没有上升到更接近的水平。   

    谢谢、

    Muhsiu

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    在 INP 开启期间更新 TMR、FLT_I 信号波形。 看起来控制器没有触发 OCP。

    Muhsiu

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Muhsiu、

    您能否按照以下建议进行检查、并告诉我是否有帮助

    1、在 PU 路径中为 R371使用100kOhm 并检查启动情况

    2.如果选项-1没有帮助、请移除所有输出电容进行检查

    此致  

    Rakesh

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢、Rakesh

    它通过将 R371从0欧姆更改为100欧姆来解决了启动问题。 看起来原始设计 IG 过大?

    Muhsiu。