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[参考译文] CSD19534Q5A:是否有任何 MOSFET 的 TD (OFF)和 TF 比 CSD19534Q5A 短?

Guru**** 1284370 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19534Q5A, LM5145, CSD19533Q5A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/775136/csd19534q5a-is-there-any-mosfet-which-has-shorter-td-off-and-tf-than-csd19534q5a

器件型号:CSD19534Q5A
主题中讨论的其他器件: LM5145CSD19533Q5A

 大家好、

 一位客户正在使用 LM5145评估 CSD19534Q5A。 但是、由于 LM5145死区时间、对于任何 Td (off)和 Tf 小于 CSD19534Q5A (TD (off)=20ns、tr=6ns)的 MOSFET、它们都是串行的

 在低侧 MOSFET=ON->OFF 和高侧 MOSFET=OFF->ON 之间、极小(14ns)。

 您能否告诉我任何 满足以下条件的 NMOSFET?

 VDS = 80V~100V

 ID = 30~50A

 VGS=+/-20V

 RDS (on)=小于 20m Ω

 td (of)=小于20ns

 TR =小于6ns

 CISS =小于 1300pF

 非常感谢您的答复。

 此致、

 Kazuya Nakai。

   

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    Nakai San、您好!

    感谢您继续向客户推广 TI FET。 FET 数据表中发布的开关时间用处有限。 LM5145包括自适应死区时间控制、可防止 FET 交叉导通。 我还随附了一个电子表格、其中包含采用5x6 QFN 封装的所有80V 至100V TI FET 的列表。 CSD19533Q5A 的 TD (关断)时间为16ns。 请参阅此博客:

    e2e.ti.com/.../FETS_5F00_80V_5F00_100V_5F00_5X6_5F00_QFN.xlsx

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    您好、John、

    感谢您的回复并列出了推荐的 FET。

    LM5145自适应死区时间控制仅在高侧之前检查低侧 FET 栅极电压
    打开。 控制序列如下所示。
    1.关闭低侧 FET。
    2.检查低侧 FET 栅极电压是否小于 Vgs (th)。
    3.栅极电压低于 Vgs (th)后等待死区时间(14ns (typ))。
    4.打开高侧 FET。

    客户将 CSD19534Q5A 与 LM5145一起用于高侧和低侧 FET。
    此外、他们还担心击穿(高侧和低侧 FET 同时处于导通状态)
    因为 FET TD (off)和 tr 的总时间(典型值26ns)大于死区时间(14ns)。
    我知道、正如您所说、这些功能的用途有限。
    但他们只想知道栅极电压降至 Vgs (th)以下后 FET 获得 Id=0A 的时间。

    您是否有任何有关时间的数据?

    谢谢、此致、
    Kazuya Nakai。
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    Nakai San、您好!
    我可以进行一些计算、使用 FET 的内部栅极电阻和电荷以及 LM5145控制器栅极驱动器规格来估算客户应用中的开关时间。 您能否提供客户要求的摘要:VIN、Vout、Iout、开关频率和输出电感器值。 我还将尝试在 FET 数据表中找到用于测量开关时间的测试条件。
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    您好、John、

    非常感谢您的友好支持。

    它们的应用条件如下。

    VIN=30V~45V。
    Vo = 12.5V。
    Iout=4.5A。
    FSW=550kHz。
    电感值= 8.2uH。

    如果您需要任何其他信息、可以告诉我吗?

    再次非常感谢、致以诚挚的问候、
    Kazuya Nakai。
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    Nakai San、您好!
    我将在 e2e 之外向您发送一封电子邮件、其中包含我的最新信息。
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    尊敬的 John:

    非常感谢您的离线邮件。

    我将关闭此主题。

    再次感谢、致以诚挚的问候、
    Kazuya Nakai。