[参考译文] LM5112：快速 mos 驱动器(LM5112)+快速 mos (建议？) 驱动器的示例

您好、Fulvio、

感谢您的问题、
您的应用是什么？ 由于相同尺寸的 FET 的 Rdson 更低、GaN FET 可实现更高的效率。 借助我们的高效 GaN 驱动器、GaN 可以更轻松地驱动。 您考虑使用哪种 MOSFET？

LMG1020可驱动 MOSFET、因为它具有7A 峰值驱动电流。
另一种选择是 UCC27611、它也可以使用较小的 MOSFET 或 GaN 完成工作。

谢谢、

尊敬的 Jeff：

感谢您的回复。  

我仍在检查 mos (也许我也应该为此寻求帮助)。 这应该是电流驱动型 UV-LED、电流介于5mA 至100mA 之间、开关频率介于100kHz 和1MHz 之间。

你有什么要建议的 mos 或 gan 吗？

谢谢

您好、Fulvio、

这将用于什么终端设备？ 如果尺寸受限、我们建议使用以下 FET：
对于 GaN、您不需要高电压 GaN、因此选择有限、因为 GaN 具有固有的更高击穿电压。
EPC2040和 EPC2023是单配置。 由于您的开关频率仅高达1MHz、因此 EPC2023可能能够实现最佳效率、因此您可能会使用更大的栅极电容。

对于芯片、我们提供了 TI CSD17381F4、该器件足够小、可以安装在手机中、但速度足够快、可以承受 ns 脉冲和10A 峰值电流。 让我联系 TI FET 团队、看看是否有更好的 FET 适合您的应用。 我很快会向您提供最新信息。

谢谢、

尊敬的Jeff：

我没有任何"空间"问题、 所有这些组件都将放置在定制的 PCB 板中。

我认为、如果我附加原理图、可能会很有用。

V-I 转换由 TI 电路示例(slau502)完成。 UV_led pspice 模型是由 led 生产者给我的。 如果我使用连续模式、一切都进展顺利(通过固定 DAC 电压、我获得正确的 LED I/V)、在这种情况下、从3.3V 开始、根据 LED 数据表、我获得47mA/6.63至 LED。

但当我尝试"脉冲驱动"时、我遇到了很多问题、首先、电流上升到222mA (以及 V 至10V)、因此我希望使用具有快速开关 MOS 的 mos 驱动器来解决这个问题。 如果我将 mos 放置为高侧或低侧、我也会面临这个问题。

PS 我不介意我有了 bot LM5112和 LMG1020、我只将 mos 连接到其中一个、然后运行瞬态仿真。 BTW I 具有相同的结果(222mA 的脉冲电流突发)、两者都有。

尊敬的 Jeff  

如图中所示、我附加了 lm5112和 lmg1020 (正如解释性方法、我附加了具有低侧 MOS 的 LMG 和具有高侧 MOS 的 lm、当我确定哪一个更适合我的应用时、我将删除其中一个。  

关于项目：由于设计选择原因、我们决定在电流中试验这种紫外线 LED、而不是使用 PWM。 因此、我使用 TIA 将 V 转换为 I (LED 上的3.3V => 50mA)。 当我需要在连续模式下进行试验时、这可以正常工作、但所有的问题都是当我需要在脉冲模式下进行试验时。

BTW 我将尝试添加电阻器并使用 csd17381f4 

您好、Fulvio、
感谢你们的更新和选择！

那么、为什么您为高侧选择5112呢？ 5112是一款低侧驱动器。
在脉冲模式下运行时、您想要实现什么目标？ 为什么不仅仅使用连续模式？
V_pulse 是恒定的占空比和频率？ 与 TIA 分离？

谢谢、

尊敬的 Jeff：

不、我只需连接5112和1020、"只是"就能让我知道在哪里放置开关 MOS (或高侧或低侧)、但最好知道5112是低侧。

不幸的是，这个项目要求以两种方式，即连续和脉冲的方式进行试验。 因此、我需要规划一个可以在两种模式下使用相同 LED 的电路。

项目2％：在罗马大学，我们正在根据镀金表面紫外线光子的光电效应，开发一个空间放电系统。 这要求具有用于快速放电的连续模式和用于"连续"放电的"脉冲"模式。
因此、我们开发了 FPGA 代码、以生成连续模式或脉冲模式、开始形成100kHz 的外部触发器(即使工程需要500ns 的最小信号、我也可以将其抽取至1/65000、并将脉冲从25ns 拉伸至10us)
我还计划使用 V_DAC 来控制电流值、以便将侧阀电流设置为5mA 至50mA

因此、在我的原理图中、V_DAC 是从 DAC 生成并以电流转换的 V 值、V_PULSE 的频率介于100kHz 和1MHz 之间。 (占空比为50%时、目前我使用的是100kHz 信号、因此在3.3V 时为5us、在0时为5us)。

我希望这种"快速"的描述能够帮助您了解我需要开发的电子产品类型。