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[参考译文] ISO5451-Q1:并联功率 MOSFET #39;S 以控制栅极驱动器的输出状态

Guru**** 2513195 points
Other Parts Discussed in Thread: ISO5451-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/775067/iso5451-q1-paralleling-of-power-mosfet-s-to-control-the-output-state-of-gate-driver

器件型号:ISO5451-Q1

大家好、

在 ISO5451-Q1的功能方框图中、第11页、第9.2节

该图显示了功率 MOSFET 在互补逻辑中的并联、其中 PMOS 与 NMOS 并联。

我想知道 NMOS 为什么与 PMOS 并联。

您能否提供一些与此相关的信息?

此致、

Komal Divate

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Komal、

    感谢您关注我们的器件、我叫 Mamadou Diallo、是高功率驱动器组的应用工程师。

    并联 N 沟道 MOSFET 可短暂提升驱动器的峰值拉电流、从而实现更快的导通瞬态。 当输出状态从低电平变为高电平时、此 N 沟道 FET 仅在短时间内有效、并在其余时间保持关断状态。
    这有助于驱动器在功率 FET 的米勒平坦区提供有效的必要峰值电流。

    如果您有其他问题、请告知我们。

    此致、

    -Mamadou