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器件型号：UCC28C54 你(们)好
我在升级 UCC28C54时遇到了一个问题。
20V VDD 使用外部 LDO 的目的是什么？
为什么30V VDD 可以避免使用外部 LDO？
BRS、
Kian
您好 Kian、
问得好！ SiC MOSFET 通常需要高达或超过 20V 的电压。 由于 C4x 系列的 VDD 绝对最大值为20V、因此您需要输出<20V 的外部 LDO、以确保 C4x 的输入偏置电源不超过 VDD 绝对最大值 因此、数据表第一页的表格显示 C4x SiC MOSFET 应用"无"。
C5x 系列的 VDD 绝对最大值为30V。 因此、如果您使用 C5x 系列、则在 SiC MOSFET 应用中不需要外部 LDO、从而节省成本和 PCB 面积。
此致、
王永平
Jonatan 您好、
感谢您的回复。 在典型应用中、我们使用辅助绕组 为 VDD 和齐纳二极管供电、以防止 VDD 电压超过20V。
那么、您是说外部 LDO 用于为 SIC MOSFET 应用中的 VDD 供电吗？ 但 Vgs=VDD、因此我们也无法驱动 SIC MOSFET。 我从未见过使用外部 LDO 的应用、您能给我展示一下这种应用的方框图吗？
