[参考译文] CSD18509Q5B：CSD18509Q5B 体二极管规格

尊敬的 James：
感谢您向客户推广 TI FET。 体二极管的电流额定值与 FET 的漏源额定值相同、因为它们在物理上是通过器件的相同电流路径。 但是、请注意、体二极管的正向压降通常远大于 IDS x RDS (on)、对于相同的漏源电流、耗散的功率(IDS x VF)将会高得多。 最终、它是封装的热限制。 数据表规定了40°C/W 典型热阻抗下的3.1W 功耗、在 TJ ~ 150°C 时、该功耗比环境温度高出124°C (25°C)。 使用典型的 VF = 0.8V、持续正向电流= 3.1W/0.8V = 3.88A @ Tamb= 25°C。 这需要在较高的环境温度下进行降额、客户还需要将 TJmax 降额至小于150摄氏度的值、以确保可靠性。

同样、最大正向浪涌或脉冲电流的额定值与 FET 的额定值相同。 同样、它们必须保持 TJ < TJmax (150摄氏度)。 客户可以使用数据表中的瞬态热阻抗曲线来确定给定脉宽的峰值电流、从而保持 TJ < TJmax。

请注意、这不是符合汽车标准的器件。 TI 不生产任何通过汽车认证的 FET。

尊敬的 James：
我们未在数据表中包含前两个参数、但我可以使用第1页的最大持续功率耗散(195W)@ TC = 25摄氏度和第3页的电气特性中的最大 VF (1V)为您提供估算值。 最大持续二极管正向电流：= 195W/1V = 195A。 对于脉冲电流、我们使用1%占空比和10ms 脉冲的瞬态热阻抗来估算器件的功耗@ TC = 25°C、如下所示：(150°C - 25°C)/(0.53 x 0.8W/degC)= 294W。 然后：脉冲= 294W/1V = 294A。