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[参考译文] LM5002:用于的高侧开关

Guru**** 687390 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5002, LM5022, LM5121
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1167841/lm5002-high-side-switch-for

器件型号:LM5002
主题中讨论的其他器件: LM5022LM5121

大家好、团队、

          我有一个使用 LM5002的升压电路、如图所示

我想在高侧、即电路左侧放置一个开关机制。 此电路在 BMS 中用作电池充电的升压电路。

高侧开关或低侧开关在48V 和4-6 A 电流下会更好

此开关应由板载微控制器控制。

您能不能建议使用任何开关机制来实现这一点。

如果可能、您可以提供参考设计或其他任何帮助  

谢谢

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    您好 Bhanu、

    感谢您使用 E2E 论坛。

    我不确定我是否理解您的问题。

    您是否希望使用 LM5002或微控制器进行升压控制?

    此致、

     Stefan

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    您好 Stefan、

              在原理图所示的电流设置中、即使禁用了 LM5022、我们仍会在输出端施加48V 电压。

    因此、我们计划在升压输入端放置一个 MOSFET 作为开关。

    我们想知道可以使用哪种类型的 MOSFET 开关机制。 MOSFET 应由微控制器5V 输出引脚控制。

    谢谢  

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    您好 Bhanu、

    由于开关需要位于高侧、因此不能直接通过以5V 运行的微控制器来控制。
    栅极信号需要靠近输入轨(高于或低于几伏、具体取决于 MOSFET 类型)。

    为 SMPS 选择另一个控制器可能更容易、例如 LM5121

    此致、

     Stefan

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    您好 Stefan、

               感谢您提供相关信息。 如果我们在低侧实施开关、会好吗?

    因为我们认为可以使用微控制器来控制 MOSFET。

    谢谢

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    您好 Bhanu、

    是的、这会更容易、因为此时可以使用 NPN 类型的 MOSFET。

    此致、

     Stefan

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    您好 Stefan、

              因此、如果我们要将 N 沟道增强 MOSFET 作为上述电路的低侧开关来实现、我们将如何实现它、因为我有点困惑。 非常感谢您的帮助

    谢谢

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    您好 Bhanu、

    如前所述、我建议使用具有高侧开关控制功能的器件。 需要考虑低侧开关的应用行为和要求、因为此时需要考虑 GND 和所有侧效应之间的开关。

    此致、

     Stefan

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    您好 Stefan、

               感谢您提供信息。

    我只是一个后续问题。

    上述电路是否能够很好地切换48V 电压轨。 在这里、+12V 将被48V 取代。

    谢谢

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    您好 Bhanu、

    不确定是否能够在高电流负载下完全打开 PNP。

    您可以对其进行仿真或测试、以确保 PNP 完全打开并且不会产生过高的损耗。

    此致、

     Stefan