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[参考译文] LM5117EVAL:我想将评估板重新配置为输出5V 电压。

Guru**** 2468610 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5117EVAL, LM5117

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/769987/lm5117eval-i-would-like-to-reconfigure-the-eval-board-to-output-5v

器件型号:LM5117EVAL
主题中讨论的其他器件: LM5117

您好!

我已收到评估板 p/n :LM5117EVAL、并希望将其设置为输出5V。 我已计算 出、对于 R_FB1 (R16)、反馈电阻器应为357欧姆、而 R_FB2应为1870欧姆(R17)。

我想问我是否还有其他缺失、或者我是否不应该将此板用于该电压输出? 我在设计工作台时、考虑到我的输入参数为8V < Vin < 56V、标称电压为12V、因此它没有列出芯片。 我们预计10A 电流峰值约30秒、标称电流约为3A。

感谢您的帮助、

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    快速更新、
    我将 webench 中的参数更改为8<Vin <26、其中5V OUT @ 10A、现在我可以选择 LM5117。 根据设计输出、它显示了 Rfb2 5.04K 和 Rfb1 @1.15k Ω。 我正在查看仿真、只想确认可以使用上述芯片。

    谢谢、
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    我认为该器件应该正常。
    使用 EVM 是在所有变量和环境中测试应用的最佳方法。
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    另一个更新。

    我已获取文档 AN-2103 LM5117中的原理图和 BOM、并更新了 webench 设计以匹配。 我确实使用了 Webench 为 Rfb2和 Rfb1提供的建议值。 Rfb2的电阻为6.04k Ω、Rfb1的电阻为1.15k Ω。 这样、我得到了一个瞬态10A 尖峰、将电压降低至4.87V、并将负载降低至1安培、从而得到5.18V 的电压尖峰。 在我的预期应用范围内。 在稳定状态下、我的电压看起来大约为 4.985V 至4.996V。 那么、大约是0.011伏的纹波。

    现在、我想知道 webench 如何确定默认电路值、例如工作频率。 使用默认值、我将获得4.996V 至5.004V 的纹波。 我还可以看到开关频率发生了变化、因此假设这是系统表现更佳的原因。 当我为我的应用设计自己的布局时、我计划使用 webench 值。 但是、webench 没有评估板那么多的器件。 尽管其中一些器件似乎用于测试点和可选组件、但其他器 件看起来至关重要、例如 LM5117与高侧 MOSFET 之间的 R10、2.49 Ω 电阻器。 低侧 MOSFET 的评估板或 webench 上没有该电阻器。 我是否应该在设计中添加该电阻器? 我假设它用于消除栅极引脚上的一些振铃、但没有接地。 电流限制栅极引脚? 任何意见都值得赞赏:)

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    Webench 会根据旋钮的位置尝试优化效率或尺寸。
    它所做的计算比较理想、因此它们可能与工作台不完全匹配。
    如果 EVM 能提供良好的结果、我将坚持该设计和布局。 当然可以
    EVM 上还有一些额外的东西。 我认为保留一个 R10位置是可以的;您可以使用零欧姆作为位置
    固定器。
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    您好、Frank、


    我将注意在栅极引脚上放置一些零欧姆电阻器。 我想如果稍后我必须使用另一个 MOSFET 并且只需要更新 BOM、这不会有任何影响。 感谢您的反馈。

    我已经看到一些设计使用栅极引脚上的电阻器以及栅极引脚到接地之间的电阻器(1Mohm 左右)。 我了解到栅极引脚到接地电阻器用于帮助更快地关断 MOSFET。 我相信、它通过为电容器上积累的电流提供一条接地路径来实现这一点。 驱动器和 MOSFET 之间的电阻器可能用于限流。
    我正在考虑 MOSFET 栅源极的等效模型作为电容器、并假设驱动器的栅极电阻器会创建一个低通滤波器、因此会根据 MOSFET 输入电容和电阻 RC 常数消除一些振铃振荡? 我打算更换我购买的 EVM 上的组件、并查看仿真与性能的匹配程度。

    再次感谢、
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    您对栅极 R 是正确的。由于 RC 时间常数、串联栅极 R 将降低栅极驱动速度。 此外、该电阻器将有助于抑制
    任何高频"源跟随器"类型的振荡。 分流栅极 R 将有助于关断 FET 并使其保持关断状态。