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[参考译文] LM5175：MOSFET 的 LM5175问题

admin
Guru**** 1818760 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19538Q2, CSD17571Q2, LM5175, LM5176
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/806378/lm5175-lm5175-issues-with-mosfets

器件型号：LM5175
主题中讨论的其他器件：CSD19538Q2、 CSD17571Q2、 LM5176

您好，  

请参阅随附的使用 Webench 的 Lm5175仿真设计。 在电路板 上、我们将升压侧的 FET 从 CSD19538Q2更改为 CSD17571Q2、并且系统已停止工作。 VREF 的测量范围为800mV 至940mV。 PGOOD 就像一个方波。 也会关闭所有 FET。 我正在连接 webench 设计、以了解导致此问题的原因。 还附加了一些屏幕截图。 与仿真的另一个区别是、我们具有 DMC 模式、没有断续模式。 我们需要为 USB Type C 获取更多电流、这就是我们创建此 changee2e.ti.com/.../8764.LM5175_5F00_simulation.pdf 的原因

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    TI__Guru**** 1818760 points
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    您好、Ali、

    恐怕 IC 已损坏。 TI FET 非常好、但其 Qg 太小、LM5175具有强大的驱动器、这可能会导致非常快的 di/dt 或 dv/dt、如果布局未得到优化、则可能会产生振铃。 我建议将 LM5176改为引脚对引脚兼容的器件、它可以更好地与 TI FET 配合使用。

    请注意、当您更改为 LM5176时、您需要调整 RT 引脚电阻器以保持相同的开关频率、并在 VISNS 引脚上添加2k 电阻器并移除 VISIN 引脚电容器。 您的其他设计可以保持不变。

    谢谢、
    应用工程学 Yohao Xi
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    TI__Guru**** 1818760 points
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    对于 FET、建议的 Qg 规格是什么-由于我们已经有数百个电路板、您能否从其他制造商那里建议更好的 FET？  

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    我在输出端添加了一个100uF 电容器、这解决了这个问题。
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    因此总电容为300uf
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    您好、Ali、

    感谢您的更新。 听起来您原来的180uF 电容器性能不好、输出电压达到输出 OVP (比 Vout 设置点高10%)。 恭喜您解决了该问题。

    此致、
    Youhao
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    TI__Guru**** 1818760 points
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    您能否解释一下"它们的 Qg 太小、LM5175具有强大的驱动器、这可能会导致非常快的 di/dt 或 dv/dt、"
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    TI__Guru**** 1818760 points
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    在我看来、LM5175似乎是一个弱驱动器、因为它需要更多的电荷
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    TI__Guru**** 1818760 points
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    您好、Ali、

    您认为它是一个弱驱动器是什么？ 您选择的 TI FET 具有4nC Qg。 LM5175驱动程序似乎太强。 如果您检查标准 EVM、它会采用大约30~40nC 的 Qg FET。 要打开或关闭 FET、驱动器需要提供总栅极电荷。 较小的 Qg 将需要很短的时间来完成导通和关断转换、因此产生的 di/dt 和 dv/dt 更快。


    谢谢、
    Youhao
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    TI__Guru**** 1818760 points
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    您好、Youhao、

    感谢您的帮助！ 与栅极串联的 Rg 有助于满足 LM5175栅极驱动器的接通和关断时间要求。 我是否可以调整 TI FET 的 Rg (4nC Qg)大小以获得当 MOSFET 具有30`40nC Qg 时所需的近似关断和导通转换时间。

    此致、

    Ali

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    TI__Guru**** 1818760 points
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    阿里

    增加栅极电阻会减慢 MOSFET 的导通速度、从而有助于减少开关节点的过冲和下冲。 如果添加了栅极电阻器、则应检查高侧和低侧 FET 的死区时间、以确保在开关期间不会发生击穿。

    -Garrett