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[参考译文] TPS23525:TPS23525 MOS 短路和 EN 功能

Guru**** 2511415 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS23525, LM5051, TPS23521, LM5069

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/804339/tps23525-tps23525-mos-short-circuit-and-en-function

器件型号:TPS23525
主题中讨论的其他器件: LM5051TPS23521LM5069

尊敬的团队:

如何使用此器件实现使能功能?

2.如果 Q1短路、电路将会响应什么?

BR

Kevin

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    尊敬的 Kevin:

    请在 UVEN 和 VEE 之间连接一个 NPN 晶体管以实现使能功能
    2.简而言之、如果 Q1发生故障、则电源路径将不受任何控制。 因此、我们将失去电源路径保护。

    此致、
    Rakesh
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    大家好、团队成员

    我 正在为 Delta 电信 特殊应用执行该项目、我认为 TPS23525将是一个很好的解决方案。

    但是、我需要知道 如果 IC  发生故障会发生什么情况。

    我列出了有关这种情况的一些问题。

     如果 Q1短路,如何保护?

    根据我在此应用中的经验、MOSFET 在损坏时是 G-D-S 短路...

    然后、它将压降栅极驱动器源并导致 Q2、Q3的驱动源关闭。  然后、Q2、Q3因满载而变热。

    如何防止?  

    Beseds,我看到了 PGB 函数,它是如何工作的?            

    请帮我回答

    谢谢你。

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    您好、Wang、

    欢迎使用 E2E!
    我了解您的 IC 故障问题(由于 Q1短路)可能会导致 Q2、Q3 MOSFET 失效。

    克服这种情况的一种方法是使用单独的控制器实现热插拔和 ORing 功能。 例如、用于热插拔的 TPS23521和用于 ORing 的 LM5051。 我想知道您希望 Q1 MOSFET 在哪些条件下发生故障。 如果我们在设计阶段注意、可以避免 Q1故障。

    PGb 信号是仅在系统上电后启用负载。 这是为了减少启动期间热插拔 MOSFET Q1上的功率应力。 TPS2352x 器件内部的 PG 信号在上电后拉低、这会打开 NPN 晶体管(请参阅 TPS23525数据表中的图14)、从而上拉下游直流/直流负载的 EN 引脚电压。

    如果您有任何疑问、请告诉我。

    此致、
    Rakesh
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    您好、Rakesh

    我知道您的问题,我们的应用程序不用于输出 ORing 功能。 我想使用 TPS23525应用来 旁路功能、如下所示。

    旁路功能 由旁路 MOS 和反向 MOS 组成。  

    我认为、thsi IC 有一种解决方案来处理电池放电中的启动问题。

    直流输出(BATTERY)是电源和直流输入(RRH)。 当直流电池为 RRH 的电容充电时,由于 dv/dt 和 没有任何电阻,它必须具有大电流。

    问题是 RRH 启动电流、我不知道 RRH 允许在启动时承受多少负载。

    第二,如果反向 MOS 损坏并导致旁路 MOS 的驱动器故障。 这是非常危险的,它是无法控制的。

     您对此应用有什么理想之处吗?

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    您好、Wang、

    TPS2352x 是低侧控制器。 因此、它无法绕过正电源轨直流 OUT+至直流 IN+。
    我建议将 LM5069 (高侧控制器)与背对背连接的 MOSFET 配合使用、如应用手册 www.ti.com/.../snva683.pdf 中所示
    LM5069的 dv/dt 控制有助于限制浪涌电流。

    我是否知道绕过直流/直流转换器的原因?


    此致、
    Rakesh
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    您好、Wang、

    您是否有机会了解 LM5069器件? 如果您有任何疑问、请告诉我。


    此致、
    Rakesh
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    您好、Rakesh

     我在 LM5069 器件上采用的方法。  虽然它是一个高驱动器, 但我对此有一些问题 。

    如何 提供 VDD?

       MOSFET 的源 极与 V 电池的接地端不同。  

     

     如果有任何理想情况、请告诉我

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    您好、Rekesh

    我在 LM5069器件上采用的方法。 我对 Vdd 有疑问

    由于我们的应用、MOS 驱动器的音场与 V-battery 不同。

    如何提供 Vdd? 电离极板隔离电源或 V 形电池?

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    您好、Wang、

    LM5069器件的内部电路通过 VIN 引脚供电、该引脚可连接到直流 IN+。 LM5069器件接地可连接到直流 IN-。
    VDD 是上拉源、用于上拉"电源正常" PGD 引脚。 PGD 引脚可在您的应用中保持断开状态。

    此致、
    Rakesh
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    您好、Wang、

    希望以上内容能解答您对 LM5069的疑问。 如果您有其他问题、请继续发帖。


    此致、
    Rakesh

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    您好、Rakesh

    实际情况

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    您好、Rakesh

    谢谢、

    实际上,我的应用程序不像 旁路功能...但我无法传递有关此功能的更多信息。(它正在处理中。)

    如果是不同的大猩猩,它是否正常工作?

    谢谢你。

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    您好、Wang、

    我已向您发送私人消息、以获取有关您的系统的更多信息。 不幸的是,从上面的描述中,我没有得到清楚的图片。 请私下回复。

    此致、
    Rakesh

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    您好、Wang、

    我们可以致电尽快解决此问题。 请与关伟陈联系,安排电话。


    此致、
    Rakesh

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    您好、Wang、
    请告诉我需要哪些支持来关闭此功能?

    此致、
    Rakesh

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    您好、Rakesh

    在我们的内部讨论中,我们决定 选择 Mechinal Short / Long Pin 来解决浪涌电流问题....

    但是、我们选择 Si8271作为 B&B MOSFET 驱动器、选择 ZXGD3112N 作为 Oring 控制。

    您可能可以向我们介绍 P2P IC。

    感谢你的帮助

    谢谢你。

    Mechincal

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    尊敬的所有人:

    我将关闭该主题并向工程师推荐解决方案。

    BR

    Kevin