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[参考译文] TPS2832:IN 和 DT 端子上的高电平输入电压必须小于或等于 VCC。

Guru**** 2380740 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS2832, UCC27524, UCC27525
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/803705/tps2832-high-level-input-voltages-on-the-in-and-dt-terminals-must-be-less-than-or-equal-to-vcc

器件型号:TPS2832
主题中讨论的其他器件: UCC27524UCC27525

TPS2832数据表状态: " IN 和 DT 端子上的高电平输入电压必须小于或等于 VCC。"

我们的配置使用此部件、其中 DT 略高于 VCC (也可以更高)。    IN、DT 和 Vcc 引脚之间是否存在二极管保护、因此是否存在此要求?    我能否在 DT 和 VCC 上放置肖特基二极管以提供保护?  

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    您好:Aleksandr、

    感谢您对我们的司机的关注、我叫来自高功率司机团队的 Mamadou Diallo。

    绝对最大额定值部分指定了超过时可能对器件造成永久损坏的应力等级。 然而、这些只是应力额定值、对于这些额定值或者任何其它超过建议运行条件所标明的条件下的器件功能运行、在此并未说明。 此外、长时间处于绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性

    对于 TPS2832、有一个从 IN 和 DT 到 VCC 的内部二极管。 通过查看绝对最大额定值表、可以看到、和 DT 上的额定电压为-0.3V 至16V、并添加了注释(2)、其中指定电压必须<=VCC、将这些电压限制在电源阈值。

    在 DT 上使用大于16V 的电压可能会损坏驱动器、因此即使在那里放置了二极管、我也不建议这样做。

    假设使用的电压 VCC=15V 或更低且 DT=15V 或更低、则可以在 DT 和 VCC 之间使用肖特基二极管。

    如果您有其他问题、请告知我们、如果您的问题得到解决、请按绿色按钮。

    此致、

    -Mamadou
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    其他问题:如果 DT 上的电压过冲为22V、持续100nsec 并受1k 电阻器限制、是否正常? 换句话说、内部二极管的额定电流是多少?
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    Aleksandr、

    22mA 持续100ns 仍会对您的设计带来长期风险、因为 DT 引脚电压不应超过使用的电源范围。
    无论使用何种外部限流电阻器、即使在22V 电压下暴露 DT 引脚的时间小于10ns、我们也不建议这样做。

    我怀疑您可能没有光学化布局、我认为是这样、因为通过将 FET 放置在非常靠近驱动器输出级的位置、可以通过良好的布局来缓解过冲/下冲。 使用短而宽的 PCB 走线将 FET 连接到输出级、以减少栅极驱动电路中的杂散电感。

    另一种降低栅极驱动电路中过冲/下冲风险的方法是、您可以考虑通过以较慢的上升/下降时间增加栅极电阻器来降低 dv/dt、作为折衷。

    此致、

    -Mamadou
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    DT 引脚的额定电压高达30V。  我们在该部件上进行的测试显示、如果您向 DT (1k 串联)引脚施加18V 电压、并且向 Vcc 施加7V 电压、则 DT 引脚不会有电流消耗。  您如何解释这一点? 此外、为什么 VCC 额定值高达16V、DT 高达30V? 它是否相互矛盾?

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    Aleksandr、

    你是对的!! DT 引脚的额定电压为30V、根据 BOOST_TO_PGND 电压、假设高侧栅极上的电压与预期相似、则不应考虑22V 电压。 请记住、VCC 在低侧栅极导通期间为其提供偏置、而自举电源在低侧栅极关断期间为高侧栅极提供偏置。 DT 引脚独立于 VCC、而是取决于自举电容器的电源。 此外、DT 引脚必须一直下降至接地0V、以确保自举电容器在高侧栅极关断周期内完全补充。

    此外、我之前的过冲评论仍然有效、如果您希望设计中出现过冲、则可能需要进行布局优化以降低损坏风险或超过绝对最大额定值。

    此致、

    -Mamadou
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    大家好、感谢您的讲解。  很抱歉、让您认为我们使用了数据表中所示的该器件。  在我们的应用中、我们将 VCC 和 BOOT 绑定在一起、我们的 PGND 和 BOOTLO 也绑定到接地。  有什么不同吗?    此 DT 到 VCC 电压要求是否是由于从 VCC 到 BOOT 的二极管导致的?  

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    Aleksandr、

    感谢您的澄清!

    听起来好像(如果我错了、请纠正我的问题)您在专用高侧驱动器中使用 IC、其中 BOOTLO 连接到 PGND、并且直接从 VCC 使用引导电源。 如有其他情况、请确认。 如果可以、请分享您的原理图? 我想确保我完全了解您是如何使用该器件的。
    假设我的上述假设是正确的、并且您没有使用低侧 FET 并将 BOOTLO 连接到 PGND、那么您尝试使用 DT 引脚实现什么? 此外、您对过冲的期望是怎样的? 另外、将 VCC 和 Boot 绑定在一起的思考过程是什么?

    为了解决您的初始问题、DT 和 BOOTLO 通常比 BOOT 引脚的电势低。 将 DT 拉高可激活二极管和寄生晶体管、这可能导致从引导电源流出的电流过大。 这可能会导致驱动器结处的功率耗散过大、并可能导致器件损坏。

    在典型的半桥应用中、肖特基二极管可以在 BOOT 和 BOOTLO 之间在外部放置、但如果您不在这种拓扑中使用器件、我想知道 DT 连接到了什么。

    此致、

    -Mamadou
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    遗憾的是、此时我无法分享原理图。 我可以概括地谈谈这个问题。 两个驱动器都驱动以接地为基准的 N - MOSFET。 这就是我们不需要升压浮动驱动器的原因。 DT 用于数据表中使用的同一物质。 它是在 DT 引脚上过冲至22V 并持续100ms 的方波(14V)。 您说存在二极管 b/w DT 和 BOOT。 您是否知道它是常规二极管还是肖特基二极管?
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    此外、DT 到 VCC 的电压要求是否仅在 BOOT 和 VCC 未短接在一起时有效? 我之所以提出这一问题、是因为如果二极管从 DT 连接到引导引脚、而不是连接到 VCC、那么就不会有这一要求。 一旦您将 VCC 短路并启动、此要求就会过时。 ?!
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    Aleksandr、

    如果您使用此 IC 来驱动2个以 GND 为基准的 N 沟道 FET (如果我弄错了、请纠正我的错误!!)、那么使用 UCC27525等双通道低侧驱动器(反相通道和同相)可能会更好 其中每个通道可由单个 PWM 信号驱动、如果您有2个 PWM 信号、则使用 UCC27524等同相双通道低侧驱动器。
    该器件是我们上一代产品系列的一部分、我无法确认或否认 DT 和 BOOT 之间是否存在二极管。
    此外、假设 BOOT 和 VCC 不短接在一起、则符合 DT 到 VCC 的电压要求。

    我对您提供的其他信息有2个主要顾虑:
    1. BOOT 和 VCC 短路时、这将应力并导致内部二极管上的功率耗散显著增加、从而可能导致驱动器结处的温度显著升高。

    此外、如果从14V 栅极驱动器中看到高达22V 的过冲、我会对设计的效率和长期可靠性产生重大影响。 我建议您考虑确定这种过冲的根本原因并首先解决。

    如果您有任何疑问、请告知我们、如果这有助于回答您的问题、请按绿色按钮。

    此致、

    -Mamadou
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     1. 如果我错了、您能不能纠正我的问题、但 VCC 和 BOOT 引脚上的短路二极管会消除二极管、因为二极管上的压降将为0V、因此二极管 永远不会导通。  对吧?  或者您是否在谈论其他二极管?  此外、我们长时间使用此配置、而不会出现任何问题(即使在其他程序上也是如此)。

    我们提出这个问题的唯一原因是、我们稍微改变了电路、现在我们注意了数据表中的"注2"。  因此、我们唯一需要知道的问题是该器件内部的二极管是肖特基二极管还是常规二极管、因为我们可以使用该器件外部的肖特基二极管来抵消可能选择通过该器件的路径的任何电流。 但是、现在我们了解到、"注释2"是指引导和 VCC 未短接在一起时的条件、因此这个问题无关紧要。   我们 可以 将设计保留原样、而不添加肖特基二极管 b/w DT 和 VCC。   如果我错了、请纠正我的问题。  

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    Aleksandr、

    这是有道理的、我实际上指的是 VCC -自举二极管、但您是正确的!

    2.正确的"注释2"指的是室温下的特定条件。 只要您在14V VCC 下运行、就可以将 VCC 短接至启动状态。 尽管您不需要占位符、但通常最好在原理图上放置一个占位符、而不填充该占位符。

    此致、

    -Mamadou