This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] CSD19532KTT:如何使用 MOSFET 使电路输出脉冲电压波形?

Guru**** 667810 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/803807/csd19532ktt-how-to-make-the-circuit-output-pulsed-voltage-waveform-with-mosfet

器件型号:CSD19532KTT

大家好、TI 工程师!

我打算通过 MOSFET 获得脉冲电压、我设计的选择器电路如下。 为了确保 MOSFET 可以导通、FET 的源极端子连接到栅极驱动器 GND。 栅源电压波形可有效驱动 MOSFET、即5V 脉冲电压、占空比为20%。  

输出电压通过电源电压 Vsup (直流电源)的拉电流和 GND 获得。

当栅极驱动器的输出为高电平时、MOSFET 导通、因此源极端子电压等于 Vsup。

但是、当栅极驱动器的输出为低电平时、MOSFET 处于关断状态。 然后、不确定 Vsup 的源端子和 GND 之间的电压差、因为两个端子之间没有公共电压。  

当支持输入电压的脉冲控制信号时、输出电压输出电压 Vout 始终为高电平且等于 Vsup、而不是按预期斩波脉冲电压。

此电路有什么问题、我应该如何输出脉冲电压?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Hongwei、
    感谢您关注 TI FET。 我不理解这个电路。 Vsup 的基准在哪里? 从电路图中可以看出、您尝试将 FET 用作高侧开关、但源极连接到 GND。 为了将此 FET 用作高侧开关、您需要驱动栅极、至少比输入电压大6V。 这是因为当 FET 导通时、漏极和源极电压基本上相等。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Hongwei、
    只需跟进、看看您是否已解决问题。 请告诉我是否可以提供进一步的帮助。 如果没有、我将在明天关闭此主题。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Hongwei、
    再次感谢您关注 TI MOSFET。 我将结束本主题、因为我没有听到您的反馈、并假设您的问题已得到解答。