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[参考译文] TPS43061:GaN 晶体管驱动

Guru**** 2564565 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS43061, LM5122

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/804830/tps43061-gan-transistors-driving

器件型号:TPS43061
主题中讨论的其他器件: LM5122

尊敬的 TI:

但愿你能提供帮助。 TPS43061能否安全地驱动 GaN 晶体管组件、例如 EPC2103

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    您好 Oleg、

    感谢您考虑使用 TPS43061。 其低侧驱动器电压最大为5.5V、因此可驱动 EPC GaN FET。 但是、我担心的是由自举电路偏置的高侧驱动器、它可能会过充至超过6V 并损坏高侧 GaN FET。 如果您尝试、应添加一个5V 齐纳二极管来钳制引导电容器电压。

    谢谢、
    应用工程学 Yohao Xi
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    您好、Youhao Xi、
    非常感谢您的积极回应。 我想尝试使用该控制器来控制具有同步整流功能的基于 GaN 的交流反激式转换器、 但我担心过零检测功能可能会使此任务变得困难、因为根据数据表、它会"在检测到的电流降至反向电流感测阈值以下时关闭高侧驱动器"。 如果我在电流信号下建立基座电压、我会不会执行此功能? 在这种情况下、脉冲跳跃功能是否正确?
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    您好 Oleg、

    您的疑虑是有效的。 您可能会"欺骗"电流检测、通过注入电压来提升 CS 不同电压、从而避免过零踢进、但我们从未测试过这种实现。 脉冲跳跃声音不正确。 如果不提升 CS 电压底限、同步 FET 可能不会导通、只会使体二极管导通。

    一个器件可以避免这样的情况:LM5122。 您可以将器件设置为 FPWM 模式、过零将被忽略。

    谢谢、
    Youhao