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器件型号：BQ27750
我们的设计需要实施电量监测计和额外的欠压保护 IC、因此我们可以实施比电池保护 IC 更高的欠压保护截止频率、以延长电池寿命(在3.2V 时切断)。 我正在考虑两种选择：使用将电量监测和保护功能相结合的单个 IC、或使用具有电量监测 IC 和保护 IC 的单独 IC。 我们希望在目标大于1.5%的情况下最大限度地提高精度
我已经了解了 TI 器件、BQ27750似乎非常适合结合电量监测和保护功能的应用。 在本部分、我有几个问题、我希望您能够帮助我：
- BQ27750数据表声称、使用阻抗跟踪技术的精度误差优于1%。 与采用其他方法(如 BQ27220中的 CEDV 算法)的 IC 相比、这种情况有何不同？
- 何时实现了优于1%的精度？ 规格中没有列出这一精度，我已经阅读了应用报告 SLUA364，但这仅说明了何时更新了 SBS.Max Error()值，以及这是如何根据自上一个 Q_max 周期以来的周期数增加的。 为了达到1%精度规格、设计中是否必须考虑任何温度范围限制、外部组件规格(例如感应电阻器容差)、电池寿命或其他要求？
- 根据我对器件的了解、BQ27750似乎是在单个 IC 中实现电量监测和欠压保护的最佳值、而不是使用两个单独的 IC。 您是否同意此结论、或者您是否会将替代器件推荐为两个单独的 IC？
