[参考译文] LM5116WG：带 LM5116的可变电源：二极管仿真模式和相位裕度帮助。

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器件型号：LM5116WG
主题中讨论的其他器件：LM5116

您好！

我们已经设计了一个采用 LM5116的可变电源(输入电压= 48Vdc；输出电压= 4.5V、最高34.5V)、我的问题如下：

1) 1)我们如何验证各种输出电压下的相位裕度？

2) 2)我们更改了放置在 DEMB 输入端的电阻器、现在为2k2、因为我们希望 LM5116仅在同步模式下工作、但我们已经验证了 LM5116在轻负载情况下开始在二极管仿真模式下工作、因此我们会询问您问题所在。

您能为我们提供支持吗？

谢谢你。

此致、

Giuseppe Busi

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2557800 points

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您好！

您可以在数据表的第19页找到以下说明。您需要确保该电阻的大小正确。器件在二极管仿真模式下的工作负载范围是多少？

"DEMB 偏置电势应始终保持在2V 以下。在输出电感和 MOSFET 电容值较大的极轻负载下、开关电压可能会缓慢下降。如果在 HO 下降至 LO 上升死区时间之前 SW 电压未下降至 DEMB 阈值以下、则开关将默认为二极管仿真模式。当 RDEMB = 0 Ω 时、LM5116将始终在二极管仿真中运行。"

谢谢、
Katelyn

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2557800 points

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您好 Katekyn、
我们已经多次阅读了 LM511616的数据表、为了充分了解连接到 DEMB 引脚的电阻器的行为、我们还进行了一些修改 R47值的测试：值为3k3、2k2、330、但我们已验证最佳值为2k2。在该值下、当输出电压处于最小值(约4.5V)时、如果输出电流低于200mA、则 LM5116将进入二极管仿真模式。
数据表未指定如何完全禁用二极管仿真模式！
谢谢你。
Giuseppe

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2557800 points

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您好、Giuseppe、

以下是数据表中的适用部分(7.4.1)：

'随着 SS 电容器继续充电至1.215V 至3V 以上、DEMB 偏置电流将从增加
0 μA 至40 μA。使用外部 DEMB 电阻器(RDEMB)时、二极管仿真的电流感测阈值将增加、从而逐渐转换到同步运行。在软启动期间强制进行二极管仿真、可使 LM5116启动至预偏置输出、而不会对输出电容器进行不必要的放电。当 LO 为高电平时、如果 DEMB 引脚始终偏置为高于 SW 引脚的电势、则可实现完全同步运行。 RDEMB = kΩ μ A 将 DEMB 引脚偏置为最小0.45V、这对于大多数应用来说是足够的。"

我注意到 FDMS86105 FET 具有较高的 Rdson、因此您可能需要增大 DEMB 电阻器值。或者、使用一个较低的 Rdson FET (无论如何、根据最大输出电流规格、也许需要这样做)。

PS：我建议使用0.1uF 引导电容器、而不是1uF。因此、VCC 电容器是引导电容器的10倍、因此 VCC 在第一次引导电容器充电时不会放电过多。

此致、
Tim

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