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[参考译文] CSD18510KCS：需要适用于此 MOSFET 的运算放大器器件型号

admin
Guru**** 657930 points
Other Parts Discussed in Thread: TLV9002, TLV9001, TLV9061, TLV9062, CSD18510KCS, OPA2990, TLV9302, OPA552
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/799667/csd18510kcs-need-operational-amplifier-part-number-apt-for-this-mosfet

器件型号：CSD18510KCS
主题中讨论的其他器件：TLV9002、 TLV9001、 TLV9061、 TLV9062、 OPA2990、 TLV9302、 OPA552

尊敬的 TI 团队：

我将此 MOSFET 用作简单线性稳压器的导通晶体管。 您能否向我推荐一款适合此 MOSFET 并用作误差放大器的 TI 运算放大器？

请推荐存在稳定性问题的误差放大器运算放大器。  

谢谢、此致、

Venkatesh P

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    TI__Guru**** 657930 points
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    您好、Venkatesh、

    查看使用 TLV9002 (或 TLV9001、如果您想使用单个)。 这是一款性能良好的低成本1MHz 器件、由于其电阻输出阻抗、该器件将非常容易稳定。

    如果您需要更多带宽、则 TLV9062 (或 TLV9061)是10MHz GBW 下的理想选择。

    我建议您下载所选运算放大器和 MOSFET 的 SPICE 模型、并在 TINA 中仿真您的电路。 这些器件的运算放大器模型是电流和精确的、将为您提供一种充分了解电路稳定性的方法。

    最棒的
    Paul
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    TI__Guru**** 657930 points
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    尊敬的 Paul：

    感谢您的回复。

    是的、我将在仿真中检查这些运算放大器。 我希望它能解决我的问题。

    我的搜索是查找适用于 CSD18510KCS 器件的 apt 运算放大器。 因为当我使用该器件的线性稳压器时、我尝试避免使用补偿电路。

    谢谢、此致、

    Venkatesh P

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    TI__Guru**** 657930 points
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    尊敬的 Paul：

    对于这些 IC、绝对最大电源电压仅为6V。
    但器件 CSD18510KCS 是 NMOSFET、因此如果我们使用任何误差放大器、它应该能够通过为栅极提供比其 VDS 更大的电压来驱动器件、Ritht？
    在这里、我的漏极电压将超过6V、因此我认为该运算放大器在这种情况下不会有所帮助。
    请建议使用任何其他运算放大器。
    如果我被误解、请更正我。

    谢谢、此致、
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    TI__Guru**** 657930 points
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    您好、Venkatesh、

    抱歉、您回答正确。 对于较高电压的应用、我推荐使用 OPA2990或 TLV9302。 这两种运算放大器均可支持高达40V 的电源。 有关更高带宽的器件、请查看 OPA552。

    保罗
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    TI__Guru**** 657930 points
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    尊敬的 Paul：

    感谢您识别运算放大器。 我将检查功能和 TINA 仿真并最终确定。

    我的主要目标是为器件 CSD18510KCS 选择合适的运算放大器、以实现良好的稳定性。 我不想为线性电压应用使用任何补偿电路。  

    我参考了应用报告 《低压降稳压器运行情况和性能的技术评论 》、但在瞬态响应部分、本文档介绍了 PMOS 器件稳压器、但在我的案例中、我需要推导出它用于 NMOSFET。  

    您能帮我绘制 CSD18510kcs 和运算放大器的小信号图吗？ 我在运算放大器小信号模型中几乎不会感到困惑、例如输出电阻器是串联还是并联。

    请参阅本文档图17和19、建议我绘制和推算

    谢谢、此致、

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    TI__Guru**** 657930 points
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    您好、Venkatesh、
    当您尝试以分立方式进行设计时、LDO 具有三个极点。 第一个极点来自运算放大器的极点本身(内部)、第二个极点来自功率 FET 的栅极电容和栅极阻抗(这是运算放大器的输出阻抗)、 第三个极点来自输出电容器(LDO 稳压节点处)和该节点处的阻抗(由于 FET 的 Rload 和 Rout 并联)。

    P1=运算放大器极点。
    P2= 1/(2*PI*Ramp*Cgate)
    P3=1/(2*PI*Rout//Rload*Cout)

    如果您不执行某种操作(补偿)、则系统在三个极点处不稳定。 您无法对运算放大器极点做很多事情、但您可以使用其他两个极点围绕您所需的应用构建稳定的系统。

    从 NexFET (NMOS)数据表中可以看出、4.5V 时的总栅极电荷为58nC。 这是12-13nF 的电容。 稳定驱动此类电容的运算放大器极少。 您可以置零来补偿该极点(串联电阻器)。

    输出极点取决于 NMOS 和 Rload 的1/gm 阻抗与输出电容的并联组合。 您可以在输出端具有连续负载、以实现更高的 gm (NMOS 具有源侧负载、因此其固有的低阻抗)、如果输出电容器的电容足够低、它会将该极点推至高频率。

    这将使您的 LDO 看起来具有两个极点和一个零、并使其稳定。

    首先使用符合要求的电源电压、1M Hz GBW 运算放大器。 如 Paul 建议的 TLV9001、TLV9002用于6V 以内的电源、OPA2990、TLV9302用于高压电源。 如果没有在单个 IC 解决方案中使用的某些内部补偿、则很难(如果不是不可能)创建高带宽分立式 LDO。


    我有几个问题。

    LDO 的稳定性是主要问题吗？
    您要调节的电压是多少？
    您的 LDO 系统有哪些可用的电源轨？ 6V？ 20V？
    LDO 输出端的电流负载是多少？
    负载的性质是什么？ 什么类型的瞬变？ 多高的频率？
    您的 LDO 基准电压是多少？


    此致、
    Sanjeev Manandhar