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[参考译文] CSD18514Q5A：标准化导通状态电阻与温度间的关系

admin
Guru**** 2378650 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18514Q5A
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/800148/csd18514q5a-normalized-on-state-resistance-vs-temperature

器件型号：CSD18514Q5A

您好！

我们使用 CSD18514Q5A 进行设计、并对数据表中的图8有一些疑问。

  1. X 轴应该是 TC (外壳温度)还是 Tj (结温)？
  2. 为什么标称 RDS_ON 在 Vgs=10V 与 Vgs=4.5V 时更高？  难道不应该是另一种方式吗？

感谢你的帮助。 Keith

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    TI__Guru**** 2378650 points
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    您好、Keith、
    感谢您提出问题。

    它应该是外壳温度。 数据表中特性曲线的数据随外壳温度而获取。
    2.我查看了一些器件的数据、在较高的 VGS 下、导通状态电阻温度系数通常较大。 请注意、在整个温度范围内、VGS = 10V、而 VGS = 4.5V 时、RDS (ON)的绝对值仍然较低。

    我将关闭该线程。 如果您有其他问题、请向我发送电子邮件。
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    TI__Guru**** 2378650 points
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    您好！

    关于#1。 MOSFET 供应商之间似乎存在一些差异。 有些人提到 Tj 和 Ta 以及这一技术合作的例子。 另一位代表指出、这是一个脉冲测试、因此不会出现自发热问题、在本例中、可以将 TC 和 Tj 视为相同的测试。  

    TI 测试的具体程度如何？

    谢谢、Keith

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    TI__Guru**** 2378650 points
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    您好、Keith、
    我们在温度室中进行脉冲测试、因此 Ta、Tc 和 Tj 在本质上是相同的。