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[参考译文] TPS56C215:为什么在相同条件下 TPS56C215热性能比 TPS53515差

Guru**** 2390735 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS56C215, TPS53515
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/798269/tps56c215-why-tps56c215-thermal-poor-than-tps53515-when-same-condition

器件型号:TPS56C215
主题中讨论的其他器件: TPS53515

大家好、

我使用 webench 来运行热仿真、发现了一些问题。 我比较了 TPS56C215和 TPS53515参数。

无论 Rdson 和热性能信息如何、TPS56C215参数都优于 TPS53515。

那么、我的问题是 Tj 为何比 TPS53515差?  

测试条件  

TPS56C215   TPS53515

VIN=12V  

Vo = 1.2V

IO=12A

FSW=400kHz

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    你好、Jimmy、
    明白了、我会尝试找到原因并稍后回复您。
    BRS、
    Edwin。
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    你好、Jimmy、

    首先、您从数据表中获得的参数都是正确的。 我已在 Webench 上验证了问题。

    在 Webench 模型中、您可能会注意到有一个参数"有效 IC 结至环境热阻"。 此参数可用于评估 EVM 上的 Tj 运行。 对于该参数、TPS56C215仍优于 TPS53515。

    这里的问题是、Webench 上的 TPS56C215效率低于应有的效率、因此功耗更大。 您可以参阅数据表上的图13、了解完整的负载效率高于 Webench 数据- 82.88%。

    此致、

    Hao

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    尊敬的 Sam:

    感谢您的大力支持!

    但我想知道 TPS56C215在相同条件下可以替代 TPS53515吗?

    因为我的客户在某些项目时遇到成本问题。

    BTW、关于热性能、我认为 TPS56C215的封装尺寸比 TPS53515差、我找不到内部 MOSFET 的另一个参数。

    (例如 Qg、寄生 参数)。 因此、我认为 TPS56C215 开关损耗 可能更大。

    
    
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    你好、Jimmy、

    根据参数、从热性能角度来看、TPS56C215应该更好。
    EC 表中通常仅列出 Rdson。 未提供其他内部 MOSFET 参数。
    在高输出电流条件下、导通损耗决定了总功率损耗。 开关损耗并不重要。 我之前在测试中得到了结果、您可以将其作为参考。
    12V 至1.1V、400kHz、室温、外壳温度为58C @10A、68C@12A。

    此致、
    Hao
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    您好 Hao、

    我知道传导损耗决定了总功率损耗。
    但为什么 TPC56C215 PD 高于 Webench 模型上的 TPS53515? (注意:Rdson 几乎相同)
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    你好、Jimmy、

    PD 来自效率数据。 您可能会注意到、在运行条件下、TPS53515和 TPS56C215在12A 电流下的效率分别为86.8%和82.9%。 这毫无意义。 我想 TPS56C215 Webench 效率模型可能存在问题。
    我获得了一些更可靠的 TPS56C215效率基准测试结果。 如果您有兴趣、我可以向您分享数据。 请将您的电子邮件留在此处。 谢谢!

    此致、
    Hao
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    您好 Hao、

    好的、谢谢
    电子邮件:Jimmy.wang@wtmec.com