[参考译文] UCC24612：Ucc24612

您好 Robin、

您是正确的；有一个隐含的假设、即 SR MOSFET 是硅 MOSFET、它具有所谓的"体二极管"作为从源极到漏极的反向导通路径。

UCC24612依靠这个体二极管的"正向压降"来触发 SR 栅极驱动的接通。 VD-VS 电压必须超过 Vthvgon 的导通阈值(通常为-240mV)。 在"反激"间隔(退磁)开始时、几乎任何重要的电流电平都可以轻松满足该阈值。

在几乎所有情况下、被选择可靠地处理反激式输出的最大峰值电流和 rms 电流的硅 MOSFET 本质上将具有一个体二极管、能够在开通延迟期间可靠地处理同一峰值。 的确、在计算结温上升时、在开通延迟期间通过体二极管电压的峰值电流在该电流下的功率损耗必须包含在 MOSFET 总损耗中。

此致、
Ulrich

尊敬的 Robin：

是的、您肯定可以在 SR MOSFET 上添加并联二极管(例如肖特基二极管)、以降低开通延迟时间内的峰值电压。 有些客户这样做、而大多数客户不这样做、因为他们希望避免额外的成本。 确保二极管不是很大(超低 Vf)、无法达到最坏情况下的 SR 导通阈值电压。 还要确保并联二极管连接不会干扰到 MOSFET 漏极和源极焊盘的 SR 控制器 VD 和 VS 检测路径。 请避免在 VD 和 VS 感应点之间的电流路径中添加任何杂散电感、因为任何 L*di/dt 偏移都会影响 SR 关断点。

请注意、在 UCC28780 ACF 设计中、并联二极管将随 SR FET 增加并联电容。 在总体开关节点电容计算中必须考虑这一点。 我不能说、它是否会产生重大影响、但最好了解它、而不是稍后感到惊讶。

此致、
Ulrich

Thnx 很多。
我听从你的意见。
成本不是我们产品的问题！
性能。
将在此处应用尽职调查。