主题中讨论的其他器件: BQSTUDIO、 GPCCEDV
您好、再说一次、
运行多个记录放电周期后、我注意到 FCC 从未更新过256 mAh。 在 BQ34110 TRM 中、它显示"在任何单个更新周期中、FCC 不能被减少超过 FCC 学习周期、也不能被增加超过 FCC 学习周期"。 "FCC Learning"和"FCC Learning"用粗体和斜体表示、我认为这意味着它们是可以更改的数据闪存参数。 但是、BQStudio 中没有此类参数、TRM 中的其他地方也没有提及这些参数。
是否可以将 FCC 记忆下限/上限限制提高到大于256mAh? 或者、如果参数只有足够的空间来容纳1字节的数字、是否有办法完全关闭限制? 我之所以提出这一问题、是因为我们的电池具有明显低于芯片报告的已记忆的完全充电容量(完全充电后、RC 值约为5Ah、而已记忆的 FCC 约为7.8Ah)的完全充电容量。 我知道所学的满电量是一个可以更改的数据闪存参数、但我宁愿让芯片自动测量它、以防我们的充电器以某种方式无法正常工作。 同时、我不需要执行6或7个充电和放电周期、因为所学的 FCC 一次只能更新256mAh。
再次感谢您提供的任何建议。
Colin