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[参考译文] LMG3410R070：LMG3410

admin
Guru**** 2394295 points
Other Parts Discussed in Thread: INA821, UCC24612, UCC24610

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/794631/lmg3410r070-lmg3410

器件型号：LMG3410R070
主题中讨论的其他器件：INA821、 UCC24612、 UCC24610

在 LMG3410电路应用的 SNOU140A 中，您有 C8。

这是在升压模式下为芯片供电、显示 为47uF

这是巨大的！

在一切都是低功耗的应用中、存在包括峰值在内的低电流。

它可以选择1uF/25V MLCC,或2.2uF 等额定电压吗?

该47uF 值是芯片内部产生的降压/升压负偏置造成的吗？

将会得到最小值到最大值的范围

PL 在380V @ 300W 应用中查看我的电路随附的 pdf、我们需要2个此类同步开关。 我只复制电路的相关部分。

thnxe2e.ti.com/.../LMG3410GNMR_5F00_APP.pdf

R

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    TI__Guru**** 2394295 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Robin、
    由于这是一个 EVM、旨在使用隔离式高侧电源和自举启动功能运行、因此我们选择了较大的值。
    47uF 的目的是确保自举电容器 C8在断电时具有足够的电荷、或在突发模式等低频率下切换 GaN。
    现在、如何选择该值取决于两个因素：开关周期中的电荷平衡(取决于自举路径的 RC 和低侧 GaN FET 的最短导通时间)、以及突发模式或功率损耗情况下所需的保持时间。 要计算这两种情况、您可以检查数据表中的工作电源电流曲线、并确保您可以在每个周期为电容器充电(电容器电压差等于 VDD-VF (二极管压降)- UVLO 限制->、根据使用的二极管、电压差大约为1.2-0.8V。)
    测量保持时间所需的电容；
    C= I_SUPPLY (来自基于开关频率的数据表)*所需的保持时间/Δ Vbootstrap (如上所示)。
    许多应用要求的电容超过4.7 μ F。

    从原理图中可以看出、低侧没有 VDD 电容器、高侧非常小。 我强烈建议在低侧添加一个最小值为2.2uF 的电容器、在高侧添加4.7uF 的电容器(取决于保持时间)。 这些引脚应非常靠近 PCB 中的 LMG3410放置。 在设计 PCB 之前、请查看我们的应用手册。
    www.ti.com/.../snoa946a.pdf

    原理图中还有其他问题；
    -BB 电感器应为10uH - 22uH。 原理图显示0.2uH。
    低侧 GaN 的 IN 引脚没有滤波器。 需要 RC 滤波器。
    高侧 GaN 连接错误。 VNEG 连接到 GND。 它应该被连接至2.2uF 电容器。 LPM 已拉至12V、但应拉至5V。 您可以将 GaN 的 LDO5V 输出用于该上拉。
    -我不会使用 Si826发送 PWM 信号。 在电流配置下、您将向高侧 LMG3410的 IN 引脚施加12V 电压、但该引脚的最大电压为5.5V。 它将会损坏部件。 我建议使用 ISO77XX ISO78XX 进行 PWM 电平转换。
    -仅供您参考，5VLDO 是 LMG3410提供的输出，用于为外部电路供电。 例如、您可以使用高侧 GaN 的5VLDO 输出为 ISO77XX 的次级侧供电。

    此致、
    Serkan
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    TI__Guru**** 2394295 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Serkan

    非常感谢您指出问题！

     电子表格计算结果为0.2 μ H 、我很高兴... 小巧。

    将更改为您的建议。

    我们同意您的所有建议。

    Robin

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    TI__Guru**** 2394295 points
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    哦、天哪、浮动 LMG3410电路中出现了严重的滑倒！

    BTW：发现电感器是如何出错的。 Mouser 的器件在进入 BRC****时显示为0.2 μ H！...然后在文档的最后一页中列出了该供应商的所有器件！

    我将其视为0.2 μ H 的价值！

    嗯。

    非常感谢这些更正。

    我想我把它们全部都加入了。

    我将再次阅读布局、但我认为我得到的结果非常多。 但谁知道呢：我非常感谢您抽出时间评论路由。 特别是因为我已经将其带到了极小型化(我们 IP 的主题)...我可以在您自己的 TI email.e2e.ti.com/.../CORRECTED_5F00_LMG3410APP_5F00_CKT.pdf 上共享该主题

    因此、回顾 LMG3410放置、通孔 等不应做的事情将确保我们成功交付首批使用 TI GaN 的产品 以及与 数字控制相关的整个 TI 器件系列。

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    TI__Guru**** 2394295 points
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    Serkan：我有一个 pdf 文件、其中提供了布线层的基本要素、供您查看。 PL 通过电子邮件向我发送您的 TI 地址、我可以通过电子邮件将其发送给我。
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    TI__Guru**** 2394295 points
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    Serkan：我收到了 Jeff Mueller 的 ti 电子邮件、因为他想查看一次侧路由。 我还包括了整流器侧布线。 我也请他与你分享这一点。 PL 如果您有的话、请告诉我、我们将热切地等待您的评论。 Thnx。 R
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    TI__Guru**** 2394295 points
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    尊敬的 Robin：
    不用客气。 在原理图上还有一些注意事项；
    1) 1)低侧 GaN 仍然需要专用的 VDD 电容器。 它可能位于原理图的其他部分、但我在您提供的部分没有看到它。
    2) 2)电源环路中有两个电流互感器。 这可能会严重损害 GaN 的电源环路和开关性能。 我建议为低侧 GaN 使用分流电阻器、并将浮动 GaN 变压器放置在电源环路之外。 如果您希望保持原样、我建议通过增大 RDRV 值来降低转换速度(数据表中提供了 RDRV 与 dv/dt)。

    我将关闭这里的线程、我们可以离线查看您的 PCB 文件、因为您无法在这里共享它。
    谢谢、
    Serkan
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    TI__Guru**** 2394295 points
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    感谢您指出电流 xmfr 的存在。 实际上、我有非磁性选项、但它们有延迟！ 如果我找到快速放大器、电阻式方法也会起作用。 INA821就是我为该选项选择的内容...放弃了它、转而采用更快的 xmfr。 您知道更快的吗？ 请记住、感测到的电流用于推导同步开启时间。
    再次感谢您查看 PCB
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    TI__Guru**** 2394295 points
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    Serkan：经过大量检查后、我发现有一种方法可以从我的电路中的 LMG3410的电源路径中移除电流 xmfrs。 因此、现在同步导通时间的推导方式也会有所不同、延迟也最少。 尖峰脉冲将位于具有相同电流的不同分支。 这可降低 GaN 开关扰动的风险。 不过、我为 RDRV 放置了15K。  回想一下，我们使用 GaN 不是为了 高速开关，而是为了从尺寸、低寄生效应中获益。 请参阅 attached.e2e.ti.com/.../new_5F00_lmg3410ckt.pdf

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    TI__Guru**** 2394295 points
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    尊敬的 Robin：
    最后一个原理图对我来说很好。 您显然找到了一种新方法、这样您就可以摆脱电流互感器、这将有助于解决电压振铃问题。 对于 RDRV、15K 将为您提供最快的 dv/dt 转换。 从原理图的角度来看、没有问题。 如前所述、在 PCB 上实现良好的布局对于更大限度地减少这种高 dv/dt 下的振铃非常重要。 遵循应用手册中的设计指南可确保您成功实现基于 GaN 的转换器。
    www.ti.com/.../snoa946a.pdf


    谢谢、如果您有其他问题、请告知我们。
    此致、
    Serkan
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    TI__Guru**** 2394295 points
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    Serkan

    Thnx

     但读数 d/s 似乎意味着15k 会给您带来最慢的压摆率？

    我将再次检查。 并在中选择为我们提供慢速开关 speed.inserted 的值  

    您能评论一下我在 修改后将 EPC2034用作由 UCC24612驱动的同步开关吗？

    从我在幻灯片中插入的 d/s 的读数来看、这是完全可以实现的。

    但是、我得到了 EPC 完全未连接的响应。

    在我对 UCC24612 d/s 的读取中、很明显、该芯片提供的不仅仅是 MOSFET 的开/关驱动信号。 这是与任何其他"仅5V "驱动器的关键区别。

    此外、MOSFET 和 GaN 之间的开关行为本质上没有任何不同。  

    唯一的差异将是 strat 向上：但在这里、 如果 S 大于漏极、GaN 将在第三象限导通。 因此、在完全二极管仿真开始前、将实现类似启动的"体"二极管。 从那时起、两个开关器件都将以受控方式运行 、UCC24612感应 VDS 并修改驱动输出。

    同意？

    Robin

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    TI__Guru**** 2394295 points
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    Robin、
    我不是本部分的专家、但总的来说、主要区别是 VGS 法规。 从 UCC24612的原理图中可以说、对于低侧 FET、它应该在高达特定频率(受最短导通时间限制)的情况下正常工作。 (根据 ZVS 感应时间、GaN 可以在第三象限模式下广泛工作)
    但对于具有自举启动功能的高侧、GaN 面临很大的风险、因为 VGS 无法轻松调节。 任何高于5V 的栅极电压都会降低可靠性。 这可能是不建议这样做的原因之一。 如果电源稳压为5V、我认为它可以与高达特定频率的 GaN 配合使用。 还有另一个器件 UCC24610、该器件与之类似、但针对 GaN 栅极的5V 输出进行了优化。 不过、同样需要在外部进行5V 电源轨调节。 这些都是我的想法、我建议您打开一个新话题、可以与该部分的专家联系、以征求他们的意见。

    您可以从数据表的图2中查看预期压摆率与 RDRV 间的关系。
    www.ti.com/.../lmg3410r070.pdf

    谢谢、
    Serkan