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[参考译文] BQ25895:为什么软启动时间与 D+ D-的配置有关?

Guru**** 2551110 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/793881/bq25895-why-soft-start-time-is-related-to-configuration-of-d-d-

器件型号:BQ25895

你(们)好

我的客户使用5V 直流电源、无电池、VSYS 上无负载对我们的 EVM 进行测试。

当 D+ D-悬空时、SYS 将比 VBUS 达到5V 晚约0.78秒达到 VSYSMIN。 如下所示:(红色 VBUS、黄色 VSYS)

当 D+ D-短接时、SYS 将比 VBUS 达到5V 晚约2.75秒达到 VSYSMIN。 如下所示:(红色 VBUS、黄色 VSYS)

这不应与输入源类型检测的过程相关、因为两个转换器都在 VBUS 达到5V 后约258ms 开始切换、如下所示、这意味着输入源类型检测在258ms 内完成。

问题是:  

1、为什么不同的 D+ D-配置会导致软启动时间的巨大差异?

2.哪种配置可以最大程度地缩短时间?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Howard、

    在您的第一个图中、您是否意味着标题"D+/D-短接"不悬空? 如果是这样的话、D+/D-被短接、会导致最大输入电流限值、而 D+/D-悬空会导致500mA 的电流限值。 在启动时、充电器有一个短路启动电路。 如果该电路被钳位到500mA、那么启动时的 SYS 上升时间将更长。

    此致、
    Jeff
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    Jeff、

    它是 D+D-短接、这将导致更长的软启动时间、而不是另一方面。

    在软启动期间、输入电流限制既不应为500mA、也不应为3.25A。

    根据数据表: 当系统电源轨低于2.2V 时、输入电流限制强制为200mA 或 IINLIM 寄存器设置中的较低值。

    因此、实际上、无论 D+ D-是如何配置的、输入电流限制都应与200mA 相同。

    但当 D+ D-短接时、(软启动时间+输入源类型检测时间)比 D+ D-悬空时长很多。 差异仅由软启动时间引起、而不是由输入源类型检测时间引起。

    它发生在我们的 EVM 上、这是不可理解的、我们想知道什么类型的 D+ D-配置可以最大程度地缩短软启动时间。

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    Howard、

    软启动持续到 VSYs=2.2V。 如果 D+/D-短路或悬空、输入源检测时间会有所不同。 启用 HVDCP 后、DCP 检测可长达2s。 您能否重复测量并显示 INT 脉冲和 SW 节点? 第一个 INT 脉冲显示不良源检测完成、第二个脉冲显示输入检测完成、第三个脉冲显示 VINDPM 完成(如果相对 VINDPM 打开)。

    最短的检测时间是 USB BCP1.2 SDP (~250ms 启动时间+~80ms)。 您的客户能否在 D+/D-上添加电阻器来仿真 SDP 端口? 这将在软启动后将输入电流限制为500mA。

    此致、
    Jeff
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    Howard、

    启动取决于输入检测时间。 输入检测完成后、转换器始终启动

    SDP 具有相对较快的启动时间。

    谢谢、

    宁。

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    Jeff、
    我想确认、在模拟 SDP 端口后、我们仍然可以使用软件将 IINLIM 更改为更大的值、例如2A、对吧?
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    Howard、

    是的。  输入源检测完成后、您可以通过 I2C 更改 IINDPM。  

    此致

    Jeff