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[参考译文] UCC28780:UCC28780+GaN+UCC24612 SR MOS 损坏

Guru**** 2390735 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28780, UCC28780EVM-002
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/793698/ucc28780-ucc28780-gan-ucc24612-sr-mos-damage

器件型号:UCC28780
主题中讨论的其他器件: TIDA-01622

我在65W A+C 项目 中使用 UCC28780+GaN (具有两个端口:A 型 + C 型)。

 当  C 端口有 20V 输出时、我打开端口 A 输出、然后 SR MOS 损坏。

我的 RM8变压器匝数比为6.5、 SR MOS VDS 为150V、

您是否有任何建议来避免这种损坏? Thx。

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    插孔

    您是否有此设计的实施原理图? 从您描述的内容来看、似乎您有一个2输出设计、但当您在端口 A 输出上有从满负载到无负载的负载阶跃瞬态时、会导致 SR FET 损坏。 如果我不正确、请更正我。

    在这种情况下、当电压低于20V 时、我们建议测量 SR FET 两端的电压。 如果您看到明显的尖峰接近 VDS 限值、则 SR FET 可能会由于电压过载而发生故障。 我们建议您增大所用 SR FET 的 VDS 额定值或增大 SR FET 上的缓冲器、以减小电压过冲。

    我们的参考设计 TIDA-01622接近您的规格。 正如您在设计中看到的、SR 使用150V FET、其 RC 缓冲器为22 Ω、220pF。 您的设计可能需要不同尺寸的组件、因为此设计是单个 USB Type C PD 输出、但这些值是一个很好的起点。

    此致、
    Eric
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    您好 Eric:

    感谢您的回复、请查看随附的 SCH、thxe2e.ti.com/.../66W-GaN.sch

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    插孔

    请确保在您的设计中填充了 SR FET (R36和 C32)上的 RC 缓冲器。 如果仍然出现故障、请减小 R36电阻或增大 C32电容。

    此致、
    Eric
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    您好 Eick:
    在轻负载条件下、我可以发现 UCC28780EVM-002上的 SR Mos Vpeak 会超过150V。
    请查看下面的其他 e2e 链接、thx。
    e2e.ti.com/.../796548。
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    插孔

    我们将在您的消息中提供链接的另一个 E2E 主题中回答您的问题。

    Eric