[参考译文] UCC27523：UCC27523使用问题

您好！

感谢您关注我们的器件、我叫 Mamadou Diallo、来自高功率驱动器团队。 我将帮助解决您的疑虑。

我对原理图有几个意见/问题。 您能否确认 R42和 R44的值？ 导通路径上的电阻为51欧姆、关断路径上的电阻为100欧姆。 我认为这似乎非常高、根据 dv/dt 和开关频率、大多数应用通常需要的电阻不超过10至20欧姆。 预期的 dv/dt 和开关频率是多少？ 此外、您通常希望关断路径上的阻抗比导通路径上的阻抗更低(尽可能小)、从而更大限度地减少损耗并通过调整 R42来控制 FET 的上升/下降时间。 我假设您正在驱动 MOSFET、总栅极电荷是多少？ 您能验证吗？

您还能确认 C38和 C36的值吗？ 我想确保驱动器正确偏置。

澄清这些细节后、我们可以先进行完整性检查、从 PCB 板上移除驱动器、然后自行确定输出是否随输入低电平和 EN 高电平变为高电平(反相驱动器)？ 您能验证吗？ 我想确保驱动器未损坏、您可以在单独的电路板上或在面包板上进行此操作、仅用于完整性检查。

他们还使用哪种封装？ SOIC 还是 MSOP？ 如果是 MSOP、请记住、电源焊盘以电气方式连接到器件的 GND、因此确保驱动器下方没有 VDD 过孔(或除 GND 以外的其他连接)。

如果驱动器正常、然后将其放置在客户电路板上、您能否共享直接从相关驱动器的 VCC_H 引脚测得的电源电压？

您的输入信号也是什么样的？ 频率？ VPP？ 您能否直接在驱动器的引脚上测量 PWMUL、EN？

感谢您提供更多信息。

期待收到您的回复。

此致、

-Mamadou

Mamadou：ć
感谢您的帮助！
我会回答您的问题：
(1) R42 = 51欧姆、R44 = 100欧姆；
(2)该芯片(UCC27523)正在驱动 IGBT (FS20R06W1E3/20A/600V)；
(3) C38=C36=1uF；
(4)由于我不知道的原因而损坏后、此芯片的这些电阻器就像这样：
VDD-ENA：58.52k Ω
VDD-INA：197k 欧姆
VDD-GND：0.972M Ω
4.VDD-INB：200.2k Ω
VDD-OUTB：1.959M Ω
6.VDD-ENB：98.5k 欧姆
7.VF (OUT-VDD)：0.495V (二极管压降、仅为了内部的 PMOS)
8.VF (GND-OUTA)：0.498V (二极管压降、仅为了内部 NMOS)
(5)电源电压 VCC_H 来自反激式电源；
(6) PWMUL 上拉、EN 上拉、OUT 下拉、如果 PWMUL 下拉(损坏芯片)、EN 上拉、OUT 保持低电平、我不知道原因；
(7)问题：是否有任何原因会损坏此芯片？电源过压或输出电压低于-2V？
该芯片中的 NMOS 和 PMOS 尚未消磁但无法再升高的 TT 接缝、您能告诉我原因吗？

您好、Hongwei、

感谢您提供更多信息。

您的回答中几乎没有任何意见。
-请减少对于大多数栅极驱动器而言太少的 R42和 R44，因为这只会减慢栅极的上升/下降时间并增加开关损耗。 您需要在关断时再次考虑最小电阻、考虑0-5欧姆、而在导通路径上、通常5-10欧姆足以满足要求、具体取决于开关频率。

-至于 C38、C36、2个0.1uF 和1uF 陶瓷(X5R 或 X7R)电容器最适合与我们的驱动器配合使用。

-在您之前的线程说明中，您提到输出电压低于-2V，测量值是多少？ -2V 电压是短期的吗？ 还是延长期>300ns？ 您能否确认或共享波形？

-OUTx 短接至 GND 可能与电源电压上反激产生的瞬态电压超过绝对最大值并导致驱动器内部功率耗散过大有关。 您可以添加非常靠近驱动器电源引脚的钳位二极管、以防止此类瞬变。
OUTx 短接至 GND 也可能是由于 IGBT 栅极上的噪声同时损坏 IGBT 和驱动器、或者正如您提到的、瞬态电压高于驱动器的-2V 电压能力。 您能否验证 IGBT 是否正常或是否也短路？ 为了防止这种情况发生、您还可以添加钳位二极管以帮助防止此类事件。

-此外、我注意到负载为200nC 栅极电荷、这非常重。 如果在更高的频率下运行、驱动器将消耗大量功率、以将峰值电流输送到负载的开启/关闭。 这种功率耗散将在驱动器的结温上产生温升、如果这种温升超过驱动器的额定结温、也会损坏驱动器。 您能否确认您的开关频率？

您能否在正常运行期间放置不同的驱动器并共享示波器截图？

此致、

-Mamadou

Mamadou，ć

谢谢！

我想添加一些我们可以清楚说明的信息。IGBT 的开关频率为10kHz。我已经捕捉到-2V IN OUT，、但正如它参考第6页的 UCC27523数据表(绝对最大额定值 outa&outuTB 将为-2V 至 VDD+0.3V)。如果这样、我猜此芯片将损坏 情况发生了。另外、IGBT 在此芯片(UCC27523)损坏后正常、我更换了此芯片、此电路再次工作。IGBT 之间的发射极栅极也正常。接下来、如果这种情况再次发生、我将尝试捕捉此信号。在大多数情况下、此驱动电路工作正常、但在整个机器测试中、我已损坏 几个芯片的原因是我不知道为什么。我分析了这个损坏的东西，我发现里面的 PMOS 和 NMOS 还没有被消磁，电阻器接缝也可以(请参考我上次答复中的测试结果)。我想知道如何将这个芯片的一部分切换 内部损坏、我无法分析它。

李汉平  

从深圳出发