This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] CSD18503KCS:在 TIDA-004参考设计中更换 Vishay FET?

Guru**** 657930 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18510Q5B, CSD18503Q5A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/843272/csd18503kcs-replacing-vishay-fets-in-tida-004-refrencd-design

器件型号:CSD18503KCS
主题中讨论的其他器件:CSDCSD18510Q5BCSD18503Q5A

大家好、团队、

我们希望使用 TI MOSFET。 因此、已检查 CSD18503和 CSD18510是否是用于更换 BMS TIDA-004参考设计中的 Vishay FET 的好选择。 (I Mean、CSD 18503用于高侧和低侧 MOS、CSD18510用于高侧和低侧 MOS)

http://www.ti.com/tool/TIDA-00040

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Julio、

    感谢您关注我们的 FET。 我查看了 TIDA-0040文档并上拉了 FDS8447数据表。 它实际上是一个 Fairchild (现在是 OnSemi 的一部分) 40V、10.5m Ω FET、采用 SOIC-8封装。 该参考设计在高侧和低侧均使用相同的 FET。  如果您想使用封装兼容的器件、则应采用5x6 SON 封装(Q5A/Q5B 后缀)。 您选择的两个器件采用此封装:CSD18503Q5A 和 CSD18510Q5B。 与参考设计中使用的 FDS8447相比、它们具有低得多的 RDS (on) FET。 我们可能需要查看一些替代方案。 您能告诉我以下要求吗:VIN、Vout (或#节串联电池)和最大充电电流? 这将帮助我为您提供建议。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    John、

    在反馈方面、Vin 将达到 BA 24VDC、Vout 将根据电池组的电压而变化、该电压为12-16.8V、充电电流范围为0.5A 最小值至1A 最大值 请告诉我是否还有其他可供考虑的选择。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Julio、

    我将关闭该线程。 如果您有任何其他问题、请随时通过电子邮件与我联系。