主题中讨论的其他器件:CSD、 CSD18510Q5B、 CSD18503Q5A
大家好、团队、
我们希望使用 TI MOSFET。 因此、已检查 CSD18503和 CSD18510是否是用于更换 BMS TIDA-004参考设计中的 Vishay FET 的好选择。 (I Mean、CSD 18503用于高侧和低侧 MOS、CSD18510用于高侧和低侧 MOS)
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大家好、团队、
我们希望使用 TI MOSFET。 因此、已检查 CSD18503和 CSD18510是否是用于更换 BMS TIDA-004参考设计中的 Vishay FET 的好选择。 (I Mean、CSD 18503用于高侧和低侧 MOS、CSD18510用于高侧和低侧 MOS)
您好、Julio、
感谢您关注我们的 FET。 我查看了 TIDA-0040文档并上拉了 FDS8447数据表。 它实际上是一个 Fairchild (现在是 OnSemi 的一部分) 40V、10.5m Ω FET、采用 SOIC-8封装。 该参考设计在高侧和低侧均使用相同的 FET。 如果您想使用封装兼容的器件、则应采用5x6 SON 封装(Q5A/Q5B 后缀)。 您选择的两个器件采用此封装:CSD18503Q5A 和 CSD18510Q5B。 与参考设计中使用的 FDS8447相比、它们具有低得多的 RDS (on) FET。 我们可能需要查看一些替代方案。 您能告诉我以下要求吗:VIN、Vout (或#节串联电池)和最大充电电流? 这将帮助我为您提供建议。