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[参考译文] LM5060-Q1：关于栅极引脚电容器

admin
Guru**** 2535150 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/842767/lm5060-q1-about-gate-pin-capacitor

器件型号：LM5060-Q1

您好！

我们的客户在栅极和源极之间连接一个10nF 电容器、以调节压摆率。



问题1. 您对容量的最小值和最大值有什么意见吗？
问题2. 是否建议在栅极和 GND 之间进行连接？

此致、
YUto Sakai

  • 0
    TI__Guru**** 2535150 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、 Sakai-San、

    它还取决于外部 MOSFET 的跨导(GFS)。 对于具有高 GFS 的 FET、我们建议在栅极和源极之间使用电容器、但对于具有低 GFS (~100)的 FET、建议在栅极和 GND 之间连接。

    我建议将 b/g/n 栅极至源极和 b/g/n 栅极至 GND 的位置固定器放置在测试后使用

    BR、Rakesh