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[参考译文] LM3150:EMC 认证问题

Guru**** 2530950 points
Other Parts Discussed in Thread: LM3150

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/841815/lm3150-emc-certification-problem

器件型号:LM3150

您好!

在 CE 认证期间、我们遇到了开关尖峰的一些问题。

主要来源似乎是由 LM3150驱动的两个 MOSFET。

我们已经有一个具有内部电源平面的4层 PCB,您的布局似乎是正确的。 我们遵循建议的应用手册。

添加一个大型(470uF)低 ESR 输入电容器会暂停但无法解决。

在中、您不会放置任何缓冲器网络。 这应该有所帮助,但我在 AN 上找不到任何关于它的建议。

你有什么建议吗?

此致

弗朗西斯科

e2e.ti.com/.../scan0001.pdf

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Francesco:

    您是否知道 EMI 在哪个频率下产生超过 CE 限制?

    通常情况下、输入前端应该有 L/C 滤波器来滤除传导噪声、我在您的设计中看不到它。 请在 TI 网站上下载以下文件以提高 EMC 性能:

    文档编号 SNVA489C:   AN-2162轻松解决直流/直流转换器的传导 EMI 问题

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    尊敬的 Andy:

    感谢您的回答。

    我将读取 2162。 总之、我的问题仅与传导时的辐射噪声有关、是可以的。

    此致

    弗朗西斯科

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    尊敬的 Francesco:

    辐射噪声更难处理、 请参阅以下 TI 网站的应用指南:

    AN-2155关于降低直流/直流转换器 EMI 的布局提示

    使用 LM4360x 和 LM4600x 简化低辐射 EMI 布局

    通过最大限度地减小电感寄生效应、降低降压转换器 EMI 和电压应力