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[参考译文] TPS43060:TPS43060

Guru**** 2394295 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS43060

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/841184/tps43060-tps43060

器件型号:TPS43060

大家好、我设计了一个直流/直流转换器12V (电池) 至36V、最大输出功率约为250W (36V 时为8A)、它确实按预期工作、但我遇到了 EMC 问题!  

我遵循了数据表本身中描述的更好布局的建议、但结果不好、 EN55032 B 类限制在峰值约为45dBuV (限制为30dBuV)的30MHz-100MHz 区域内不能满足。  

我在  输出端使用铁氧体和共模扼流圈(在30-100MHz 区域中阻抗约为1K 欧姆),如果没有这些组件,则行为最糟糕。 输入电压为12V 时、有几个陶瓷电容器、我还放置了 SMD X2Y 陶瓷电容器、 所有这些组件使电路板更好、从而实现45dBuV 的效果! (超过 EN55032 A 类!)。 其他电路板(相同的布局和组件)具有 dBuv 更多。 假设我们不是在最糟糕的条件下进行输出功率测试、我们大约为25%、36V 大约为2A。

使用的频率为125KHz、电感为6.8uH (40A)、分流电阻为1.66m Ω(3个并联5m Ω 的分流电阻)、D2PACK 中的2个外部 MOSFET (60V 100A 2.6m Ω)、PCB 上有散热器。

我已停止将"高侧"MOSFET (切断其栅极电阻器并将栅极与源极引脚短接)用作 二极管(放宽同步模式)、 EMC 略有改善、在该模式下、我已将"低侧"MOSFET 的栅极电阻器增加到22欧姆、而 EMC 则提高了一点(A 类正常、但不是 B 类)。

回到同步模式(再次启用高侧 MOSFET)、我尝试使用10欧姆作为两个 MOSFET 的栅极电阻器、 但通过这种方式、我已经开启了 MOSFET 本身、我认为使用该栅极电阻器时、MOSFET 的关断时间过长、而另一个 MOSFET 已经开启。

因此、问题如下:

1) 1)您建议的最大栅极电阻器是什么?  

2) 2)您是否有任何改进这种 EMC 问题的想法?

提前感谢

Renato  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Renato、

    感谢您使用 TPS43060进行设计。  回答您的问题。   

    (1)最大栅极电阻取决于 MOSFET Ciss。  电阻器和 Ciss 会产生延迟时间、这可能会极大地缩短死区时间并导致击穿。  安全的方法是监控高侧和低侧 FET 的栅极电压 Vgs、并确保有足够的死区时间(不小于25ns)。

    (2) 您的输入滤波器似乎不足以衰减高频纹波。  除了共模扼流圈外、您还可以考虑添加差分 LC 滤波器。

    此致、

    应用工程学 Yohao Xi