[参考译文] TLV1117：差分封装热阻

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1170163/tlv1117-difference-package-thermal-resistances

器件型号：TLV1117

您好！

你好。

客户对 TLV1117不同封装热阻感到困惑。封装 DRJ (QFN)的结至环境热阻为38.3'C/W、封装 DCY (SOT-223)的结至环境热阻为104.3'C/W、但结至电路板的编号为60.5和5.7。那么、当安装在铜区域较大的 PCB 上时、哪种封装的热性能更好？

最大功率耗散约为1.2W、他想知道他是否可以使用 QFN 封装实现更小的尺寸。

它们目前正在使用该器件的 SOT-223封装、它没有1.2W 功耗问题、因此如果 QFN 更好、则可以使用它。但他在查看数据表中给出的数字时不确定。

因此、如果设计得当、QFN 封装的功耗是否会超过 SOT-223？

请提供建议。非常感谢。

此致、

Ray Vincent

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2382480 points

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尊敬的 Ray：

J 到 A 热阻是最常用的指标、这意味着 DRJ 封装的热性能得到了改善。

结至电路板参数假设所有热能都通过电路板耗散。在这种理想化情况下、DCY 封装更有效、但在所有情况下、当考虑到通过外壳的其他路径和空气时、QFN 封装的性能都优于 DCY。他们应该能够以良好的设计实践切换到新的封装。此外、借助较大的 GND 平面和良好的设计、客户可以使封装的性能比数据表中列出的指标更好、因为这些指标是根据特定的 JEDEC 标准定义的。

此致、

John

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