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[参考译文] UCC27712-Q1:恒定导通或恒定关断条件

Guru**** 2528530 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27712-Q1, SN6501, UCC27712

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/836949/ucc27712-q1-constant-on-or-constant-off-condition

器件型号:UCC27712-Q1
主题中讨论的其他器件: SN6501UCC27712

尊敬的先生。

数据表描述了恒定导通或恒定关断条件。 它也是

说明了 VHB 的自举很难实现。

1.可否告知我 VDD、VHB 的偏置结构?

   很抱歉、我没有找到它。

2.在此类操作下,Nomsit集会、HI =高电平& LI =低电平或 HI =低电平& LI =高电平。

  这是否意味着互锁功能自动避免两个输出都为高电平

   即使高电平=高电平、锂电平=高电平?

  如果是、如何确定应忽略哪个选项、输出设置为低电平?

我希望得到您的建议。

此致、

H. Sakai

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Sakai、

    感谢您关注 UCC27712-Q1。 VDD 和 VHB 的偏置结构的相关信息。 VDD 为以 COM 引脚为基准的内部 IC 块提供电压、而 VHB-VHS 为以 HS 引脚为基准的 HB IC 块提供偏置电压。 为了提供偏置、VDD 与大多数 IC 器件一样以接地为外部基准。 在大多数应用中、HB-HS 偏置可通过连接到 VDD 和 HB 引脚的外部自举二极管和推荐电阻来实现。 当 HS 开关接近接地、并且 VDD 电容器通过自举二极管为 HB 电容器充电时、会提供 VHB 偏置。

    有关联锁的信息。 当 HI 和 LI 均处于高电平状态时、LO 和 HO 均关闭以防止 MOSFET 击穿。 只要 LI 和 HI 都为高电平、此状态将保持不变。 当 其中一个输入变为低电平时、另一个引脚高电平输入将导致输出返回高电平状态。

    确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

    此致、

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    尊敬的 Richard - San。  

    非常感谢您的所有教义。  

    我想、特别是正常的自举不会在100%占空比下运行  

    高侧 FET 的电流限制、因此不会产生电流。  

    我想知道如何实现高侧 FET 的100%占空比运行

    不带自举。  

    请提供您的建议。  

    此致、  

    H. Sakai

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    您好、H. Sakai、

    对于高侧驱动器上的100%占空比、需要为 HB-HS 提供浮动偏置电源、以便高侧偏置在高侧驱动器上具有直流电时保持在 UVLO 工作范围内。 TI 拥有采用 SOT23封装的 SN6501变压器驱动器的小型简单解决方案。 下面是 UCC27712半桥驱动器的该电路的示意图。

    设计详细信息可在 SN6501数据表中找到、网址为

    http://www.ti.com/lit/ds/symlink/sn6501.pdf

    确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

    此致、