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[参考译文] CSD23382F4：P 沟道 FET 作为反向电池保护

admin
Guru**** 2501735 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25120A, CSD23382F4, CSD25484F4

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/836132/csd23382f4-p-channel-fet-as-reverse-battery-protection

器件型号：CSD23382F4
主题中讨论的其他器件：BQ25120A、 CSD25484F4

大家好、

您能否检查电池反向保护 FET 配置。

我想使用 P 沟道 FET 作为反向电池保护。

我在之前的设计中注意到 BQ25120A 不支持此选项。

谢谢、

Shlomi

e2e.ti.com/.../CSD23382F4.pdf

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    TI__Guru**** 2501735 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Shlomi、

    感谢您关注 TI FET。 电路实现在我看来是可以的。 然而、Q4的符号显示了一个 NFET、实际上、CSD23382F4是一个 P 沟道 FET。 当电池以正确的极性连接时、FET 的体二极管将首先导通、直到源极电压足够高以增强 FET 并使其导通。 如果电池的极性不正确、体二极管将阻止任何电流流动。 请注意、CSD23382F4使用背靠背 ESD 栅极保护二极管、并且其泄漏电流 IGSS 将比没有 ESD 保护的 FET 高得多。 我将把这个信息发送给应用团队、以供 BQ 部件审核。

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    TI__Guru**** 2501735 points
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    尊敬的 John：

    您能建议不带 ESD 保护的其他 CSD23382F4吗？

    谢谢、

    Shlomi

     

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    TI__Guru**** 2501735 points
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    您好、Shlomi、

    我们的所有 P 沟道 FemtoFET 都具有 ESD 保护。 CSD23382F4使用背对背二极管、所有其他二极管在栅源极之间都有一个二极管。   具有单二极管的同类器件是 CSD25484F4。 泄漏电流 IGSS 远低于此值。 但是、对于单个二极管、如果源极被拉至栅极以下、则二极管将正向偏置并传导电流。 在您的应用中、如果电池反极性连接、则二极管将导通。 由于 B2B 二极管、CSD23382F4不会发生这种情况。 如果您选择使用具有单个二极管的 FET、则可能需要添加栅极电阻器来限制电流。 CSD25484F4集成了一个20 Ω(标称值)串联栅极电阻。