This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] CSD86311W1723:双向电源开关设计

Guru**** 2379650 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD86311W1723
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/795993/csd86311w1723-in-bidirectional-power-switch-design

器件型号:CSD86311W1723

问题是 如何在 双向电源开关中使用 CSD86311W1723、如"图7所示。 BPS 配置–采用共源极配置的背对背连接 N-MOSFET "、TI 应用手册 slva948.pdf 中的 Vin 范围为1.8V 至3.8V、小电流范围为100nA 至15mA。

此电源开关用于测试板中、用于打开和关闭测试电路的电源。 此双 N 通道功率 MOSFET CSD86311W1723有时似乎损坏。 问题是、这可能 是 由1)可能的短路/启动浪涌电流导致 热保护问题、2) ESD 或其他原因引起的。

是否有任何关于损害原因的建议?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Bill、
    感谢您的联系。 您能否确定双 FET 的故障模式(短路、开路等)? FET 可能会因过流和/或超过器件漏源极或栅源极的额定电压而受损。 当然、FET 也容易受到 ESD 损坏。 由于我们都是 TI 员工、因此我将通过电子邮件关闭此主题并继续进行此讨论。